三星、Hynix计划今年底发布DDR5内存

转载: 中国IC交易网 2019-03-02
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DDR4记忆体基本上在PC平台已非常普及,各DRAM 商都开始为为新一代“DDR5”作好准备,其中,两大DRAM厂Samsung 及 SK-Hynix 已计划在 2019 年底之前发布 DDR5 产品,Samsung将专注生产用于移动设备上的“DDR5”产品,而SK-Hynix则专注于台式机市场。

在2月中举行的ISSCC国际固态电路会议,SK-Hynix首次介绍全新基于DDR5规范的同步 DRAM 晶片,设计师Dongkyun Kim提到SK-Hynix正积极量产16Gb DDR5 SDRAM模组产品,全新的新DDR5 SDRAM模组制造节点为1Ynm,基于四金属DRAM工艺,封装面积76.22 平方毫米,是一款16Gb@每引脚6.4Gbps的SDRAM,工作电压为1.1V。

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至于Samsung,在会上则详述了一些关于LPDDR5 SDRAM的计划,采用10nm工艺、工作电压仅1.05V,同时提供高达7.5G/s的速度,主要将用于移动设备上,包括笔记本电脑、平板电脑及智能手机等产品。

按目前的规范所指,DDR5记忆体的时脉及容量会是现时DDR4的两倍,将会带来更佳的性能及更低功耗,并会在未来数年取代目前广泛使用的DDR4记忆体。对于新一代记忆体的发展,SK-Hynix预计到2021年DDR5的销量将占据记忆体市场的25%,到2022年将达到44%,2023年就能成为市场主流。

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记忆体标准制定组织JEDEC原本计划在2018年发布DDR5规范,现阶段仍在修订中未有制定出最终的DDR5指南,相信最快亦要在今年年底才能见到DDR5记忆体实物。


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