闪德君按：不到一周前，国产存储芯片设计公司东芯半导体在上海证交所科创板上市，开盘后一度大涨超120%，可见市场之热情。这是存储市场最新上市的一家国产存储企业。随着近年来存储产业的高速发展，国内存储市场领域也涌现出越来越多的新兴企业，竞相逐浪这个未来前景广阔的成长型市场。
东芯半导体启动上市工作以来，公布了多份相关文件，从中，我们可以在了解它如何向资本市场证明其投资潜力的同时，一窥这家企业对于自身所处市场的理解。主要作为Fabless型存储设计公司的东芯半导体（全称：东芯半导体股份有限公司）成立于2014年，总部位于上海，分公司/子公司分布于深圳、南京、香港、韩国等地。东芯半导体聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的设计、生产和销售，自称是目前国内少数可以同时提供NAND/NOR/DRAM设计工艺和产品方案的存储芯片研发设计公司。东芯半导体产品下游主要应用于通讯设备、安防监控、可穿戴设备、移动终端等工业领域及消费电子领域。目前，东芯半导体所售产品为主要为NAND产品中的SLC NAND，NOR系列产品主要为消费级的NOR，DRAM产品主要为针对利基型市场的中小容量DRAM，在技术水平方面，与国际龙头厂商存在较大差距。截图自东芯半导体上市公告，其中「发行人」即为东芯半导体
具体而言，NAND方面，有别于行业龙头主要产销3D NAND Flash的情况，东芯半导体所售NAND Flash产品还仅为2D，且限于SLC，最高制程为24nm（三星为16nm）；NOR Flash方面，东芯半导体DTR SPI NOR的最高48nm制程看起来也并不算多落后；DRAM方面，有别于三星、SK海力士、美光三家在DDR和LPDDR方面均走到了5代、1z nm制程的情况，东芯半导体目前仅走到了25nm制程DDR3和38nm LPDDR2的水平。属实「与国际龙头厂商存在较大差距」。东芯半导体共有4家子公司：Nemostech Inc.、东芯半导体（南京）有限公司、东芯半导体（香港）有限公司、Fidelix Co.,Ltd.。其中，Nemostech Inc.和Fidelix Co.,Ltd.位于韩国，前者是东芯半导体全资子公司，经营范围也为存储芯片研发，注册资本2,990,950,000韩元（以目前的汇率计算，约合1607万人民币，闪德君注），后者为韩国科斯达克上市公司，是东芯半导体全球化布局的重要组成部分，东芯半导体2015年将其收购，截止今年6月30日，东芯半导体持有Fidelix公司30.18%股权，为其控股股东。东芯半导体位于境内的公司主要负责SLC NAND Flash和NOR Flash的研发以及东芯品牌产品的销售，Fidelix公司则主要负责DRAM和MCP产品（Multiple Chip Package存储器，一种一级单封装的混合技术产品）的研发以及Fidelix品牌产品的销售。
市场占有率方面，东芯半导体仅给出了2019年的情况。2019年NOR Flash全球市场规模约为27.64亿美元，旺宏、华邦电、兆易创新、赛普拉斯以及美光合计占全球NOR市场份额的90%左右，东芯半导体的NOR Flash产品占27.64亿美元市场约0.86%的份额（约2377万美元）；2019年DRAM全球市场规模为603亿美元，其中利基型DRAM全球市场规模约为55亿美元，主要竞争供应商包括南亚科、芯成半导体等，东芯半导体的利基型DRAM产品，约占利基型DRAM 55亿美元市场的约0.16%份额（约880万美元）。总体而言，东芯半导体的业务规模约占中小容量存储芯片市场的0.54%。和其他Fabless模式芯片企业一样，东芯半导体只做存储芯片的研发、设计，生产相关的环节也是委托晶圆厂代工、封测厂封测的。晶圆代工环节，东芯半导体的主要合作伙伴是中芯国际和力积电，封测环节则主要交由紫光宏茂、AT Semicon、南茂科等公司。目前，东芯半导体的盈利能力在业界还处于相对较低的水平，显著低于兆易创新、华邦电、旺宏、普冉股份等同行企业及行业平均水平。截图自东芯半导体上市公告，其中「发行人」即为东芯半导体上市公司需要靠自己的盈利能力、发展前景等方面吸引投资者，而为了保护投资者，对其资金负责，上市公司有义务披露自身所面对的各种可能显著影响其生产经营的风险，而这方面内容，也会「顺便」向投资者作一番市场分析。在东芯半导体上市公告的风险提示部分中，这些内容值得注意。·存储芯片行业受下游供需关系影响，价格呈周期波动。·新产品销售一般需经历平台验证、产品验证及供应商认证等测试流程，过程周期长。东芯半导体目前已通过高通、博通、联发科、紫光展锐、中兴微、瑞芯微、北京君正、恒玄科技等平台验证， 进入到三星电子、海康威视、歌尔声学、传音控股、惠尔丰等客户的供应链体系。·产品价格波动下行。存储芯片产品具备高度通用性，客户对价格变动较为敏感，终端需求随宏观经济呈周期性波动，供应端的产能调整有一定滞后性， 往往造成供需关系错配，造成芯片价格波动较大。东芯半导体引用《2020 年上海集成电路产业发展研究报告》指出，全球半导体在2019年进入下行周期，全球存储器厂商计划全年投资仅为180亿美元，是近年来最为保守的投资水平，存储器价格大幅下降41%，东芯半导体主打的SLC NAND系列产品，单价在报告期内亦出现大幅下降。·报告期内，东芯半导体对客户A的销售收入分别为584.54万元、3,720.84万元、23,324.50万元和2,647.17万元，占主营业务收入的比例分别为1.15%、7.25%、29.80%和5.82%。东芯半导体销售的产品主要应用于客户A的 5G通讯设备及可穿戴设备。客户A与东芯半导体的股东哈勃投资存在关联关系（显然，客户A即为华为）。东芯半导体指出，中美国际贸易摩擦可能不断升级的前景，美国对包括华为在内中国公司的限制、制裁，可能会间接对东芯半导体的产品销售。·身处具有人才密集型特征的集成电路设计行业，截止报告期末，东芯半导体拥有研发与技术人员75人，占其总人数的42.61%。东芯半导体的研发团队分布于中韩两国，国内存储芯片产业起步较晚，具备丰富经验的存储芯片设计人员相对较少，因此东芯半导体研发团队内韩国籍人员占比较高。东芯半导体实际控制人原主要从事化纤纺织、水泥、信息产业的经营和投资，于2014年以存储芯片设计企业作为切入点涉足于集成电路行业。·东芯半导体所处的集成电路设计行业，产品更新换代及技术升级速度较快，当前，NAND、NOR及DRAM仍为市场主流存储芯片，但同时，新型存储芯片技术也不断涌现。NAND系列中的中小容量产品围绕着高可靠性方向发展，大容量产品围绕着3D NAND方向发展，两者具备不同性能，因而应用于不同应用场景，基本不存在相互替代效应；NOR凭借擦写次数多、读取速度快、芯片内可执行等特点主要通过提升产品性能、拓展应用场景来扩大市场；DRAM产品通过不断提升制程、提升性能来打开市场。近年来，新型存储技术如MRAM（磁阻存储器）、RRAM（阻变存储器）、PRAM（相变存储器）、FRAM（铁电存储器）不断发展，其特殊材料和存储结构可在多方面提升存储器性能。目前，存储行业内企业主要根据市场需求和工艺水平对现有技术进行升级迭代，以持续保持产品竞争力。东芯半导体聚焦于中小容量存储芯片的研发、设计和销售，是大陆少数可以同时提供NAND、NOR、DRAM等主要存储芯片完整解决方案的公司，产品已应用于5G通信、物联网终端、消费电子、汽车电子类产品等领域。据悉，东芯半导体已实现了对芯片设计、制造工艺、封装测试等环节全流程的掌控能力，并拥有「完全自主知识产权」，其设计并量产的24nm NAND、48nm NOR均为大陆目前已量产的NAND、NOR工艺制程中较为先进的，产品下游已应用于华为、苹果、三星、海康威视、大华等国内外客户。东芯半导体与中芯国际建立了战略合作伙伴关系，与全球最大的存储芯片代工厂商力积电建立了长期合作，与紫光宏茂、华润安盛等封测厂也建立了长期合作关系。具体应用方面，可穿戴设备市场有低功耗、小尺寸的需求，东芯就推出了基于WLCSP（晶圆级芯片封装）的NOR Flash产品，提供从32Mb到256Mb的全系列存储容量的规格。在工业领域，东芯主要聚焦于监控安防，在耐恶劣环境与供货保障能力方面向市场提供价值。而通过在工业级产品领域的经验积累，东芯半导体还向车规级标准迈进。
国内存储市场快速发展，将为包括东芯半导体在内的国产存储企业提供广阔发展空间总体而言，虽然在技术水平和市场占有率方面，东芯半导体与行业领先者之间还有不小差距，但存储市场足够大，在当前国产化替代加速等行业大背景下，包括东芯半导体在内的一众国产存储企业，还有不小的空间可以发展壮大。
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