美光发布业界首款232层3D NAND闪存 ssd新闻存储新闻

2022-05-13

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美光公司昨（12）日发布了业界首个具有232层的3D NAND 闪存，该公司计划将其新的232层3D NAND产品用于各种产品，包括固态硬盘，并计划在2022年底左右开始量产此类芯片。

美光的232层3D NAND 闪存采用3D TLC架构，原始容量为1Tb（128GB）。该芯片基于美光的CuA架构，并使用NAND字符串堆叠技术，在彼此的顶部建立两个3D NAND阵列。

CuA设计加上232层NAND，将大大减少美光1Tb 3D TLC NAND闪存的芯片尺寸，这有望降低生产成本，使美光能够对采用这些芯片的设备进行更有竞争力的定价，或者增加其利润率。

美光没有宣布其新的232L 3D TLC NAND IC的I/O速度或平面数量，但暗示与现有的3D NAND设备相比，新的内存将提供更高的性能，这对采用PCIe 5.0接口的下一代SSD特别有用。

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