AI趋势为存储用量增长最为显著的驱动力，且AI服务器对HBM需求急增，辅以龙头晶圆厂聚焦生产HBM及DDR5产品，相对将使2025年传统DRAM产能遭排挤近40 万片/月，推升DDR3、DDR4合约价续涨，而DRAM市占排名居三大原厂之后的南亚科、华邦电，则有望提升产品定价能力，成为最大受惠者。美光于上周法说会提出，2025年NAND Flash及DRAM的先进产品供应仍将吃紧，并预期HBM产能提升将会限制传统DRAM产品生产，将以现有存货支撑后市销售，进行最佳化成本效益，市场推测其计划将传统DRAM产能升级为HBM，以达成2025年HBM市占率达25%的目标。三星及SK海力士也都积极扩充HBM产能，但在初期良率较低的情况下，可预见2025~2026年整体产能增加幅度仍有限，而为了争取到HBM高毛利产品订单，势必投入相应资本，反之也无力增加传统存储的产能；当DDR4等传统DRAM需求回升，订单自然会由台厂接手。另一方面，CXMT也积极扩大产能，2024年第一季已在北京开设新产线，预计第四季月产能将达到20万片的规模，较年初成长40%以上，并规划2025年底增加到30万片，不过法人预估，受三大原厂HBM扩产排挤，传统DRAM减少之月产能近40万片，单一业者的扩产并无法弥补。南亚科及华邦电在DRAM的市占率分别为1.6%、0.8%，排名在第四、第五名；在定价能力进一步提升下，预期2024年后市营收将逐季成长，同时获利表现上也可望加速迎来复苏。以南亚科而言，其主要业务以利基型DRAM为主，产品组合中DDR3占42.5%、DDR4占42.5%、LPDDR占15%；产品应用以消费性占70%、手机（LPDDR）占15 %、服务器与其他占15%。制程上，南亚科2024年将主攻第二代10纳米级制程技术（1B），其中8Gb DDR4以及16Gb DDR5产品已导入生产，年底也将试产1C制程，公司强调每前进一代，约可使单片产能效率提升30%，有助成本结构改善。除了受惠于主要产品之一的DDR3可望延续涨势至年底外，华邦电亦开发AI边缘端应用之高带宽CUBE内存，可望在2024年底小量出货；也有以Hybrid bond封装整合系统单晶片与自家生产的客制化AI DRAM，欲抢占先进封装商机；在上述动能齐发下，可望助力下半年转亏为盈。
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