DRAM厂南亚科26日召开董事会，通过今年资本支出预算以不超过新台币92亿元为上限，较去年去年资本支出约55亿元，成长逾三成，公司看好DRAM供需情况可望趋于健康，全年景气抱持乐观看法，将扩大包含10奈米级制程研发、试产及20奈米递延等资本支出等。

26日董事会亦通过现金股利总额为新台币46亿元，预估每股现金股利约为1.5元，实际每股股利将依除息公告日的股份总数计算。以南亚科26日股价81.4元计算，现金殖利率1.8%。

去年DRAM市场供过于求导致价格大跌逾五成，南亚科去年合并营收517.27亿元，较前年下跌38.9%，归属母公司税后净利降至98.16亿元，较前年下滑75.1%，每股净利3.22元。董事会决议配发现金股利总额为46亿，预估每普通股拟配发1.5元现金股利，配息率约47%，与去年配发每股现金股利7.11元相较减少近八成。

南亚科总经理李培瑛在日前法人宣讲会中指出，随着需求明显改善，加上去年DRAM厂商资本支出比较保守，今年DRAM位供给成长有限，供需情况可望趋于健康，对全年景气抱持乐观看法，预期第一季南亚科销量与价格应可同步成长，第二季有机会比第一季好。

南亚科看好服务器、智慧型手机、个人电脑等出货稳定及DRAM搭载容量增加，预估今年DRAM市场位需求量将较去年成长15～20%，今年位供给量较去年成长10～15%。南亚科估计今年位出货量将较去年成长15%。

南亚科公告今年1月合并营收达45.00亿元，表现优于预期。法人圈预估南亚科第一季合并营收将较上季成长3～4%，2月及3月营收可望优于1月，并上修第一季营收季成长率预估值至5%。

南亚科去年资本支出约55亿元，董事会26日通过今年资本支出预算以不超过新台币92亿元为上限，其中包含10奈米级制程研发、试产及20奈米递延等资本支出等。董事会亦通过员工酬劳为8亿元，并将在5月28日召开股东常会。

南亚科过去是向国际大厂争取技术授权，但南亚科已成功开发出自己的10奈米级DRAM新型记忆胞技术，DRAM产品可持续微缩至少3个世代，10奈米制程技术将采自主开发的技术，不再向合作伙伴美光授权。而第一代的10奈米级前导产品包括8GbDDR4、LPDDR4、DDR5等，将建构在自主的制程技术及产品技术平台，预计今年下半年陆续进入产品试产。