在DRAM芯片市场上，三星和SK海力士是顶级霸主的存在，而你追我赶的局面也是常态。2020年4月，三星成为了全球首家在DRAM生产中采用EUV技术的存储器供应商，3个月后，SK海力士也开始组建自己的特别EUV工作队，就是为了保持自己和三星的竞争中不落下风，至少是同一起跑线。

目前，SK海力士正在积极开发属于自己的EUV技术，并计划将这个技术用于生产DRAM芯片。刚刚，据韩媒报道，SK海力士为了加快在存储器生产中使用EUV扫描仪，已经成立了SK海力士特别工作组，也叫EUV工作队。该小组由公司副总裁郑泰佑领导，郑泰佑的专长是半导体的光刻生产，在开发10nm级DRAM方面的成功是他的功劳，此外，他还负责使用EUV流程技术进行DRAM芯片的生产和流片。

芯片加工的精度取决于光刻机光线的波长，光线波长越小，芯片精度越高。使用EUV扫描仪向光刻存储器生产的过渡有望降低生产成本，但过渡过程本身会带来许多技术问题，这些问题目前行业仍在努力解决，SK海力士承诺明年将开始在DRAM芯片中使用EUV扫描仪。

据相关人士透露，SK海力士根据之前的计划，将首先使用13.5 nm EUV扫描仪生产具有10+nm标准的DRAM芯片，据可靠消息，很可能是13或14nm芯片。为了使用EUV扫描仪生产内存芯片，海力士正在利川建设M16工厂生产线，该设备在明年上半年投入使用，届时这将是第一个开始使用EUV光刻生产SK海力士存储产线。

在使用EUV扫描仪生产内存芯片上，SK海力士落后了三星几个月，这对于海力士是不利的。但是，韩国的专家觉得海力士此举并不是没有意义的，反而他觉得海力士潜力巨大，因为海力士的知识和经验能快速将技术用在内存生产线上，而且在竞争中不会落后很多。如今，母公司SK集团正积极收购该国及周边国家的EUV原材料生产商，以确保SK 海力士不为供应原材料发愁。

2020年4月，三星成首家在DRAM生产采用EUV技术的存储器供应商，据报道，三星已经出货了100万个使用EUV工艺制造的10nm级DDR4 DRAM模块，，这是业界首款10纳米级DDR4 DRAM模组。三星曾对媒体表示，评估工作完成后，将为明年大规模生产新的DRAM铺平道路。

三星电子DRAM芯片产品与技术执行副总裁表示：“随着以EUV技术所生产出的新型DRAM芯片量产，展示着三星对提供革命性的DRAM芯片解决方案以支援全球IT客户需求的承诺。这项重大进展也说明了三星将如何透过即时开发高端制程技术来生产高端存储器芯片市场的下一代产品，继续为全球IT行业创新贡献心力。”

据业内人士表示，三星是全球首家在DRAM生产采用EUV技术的存储器供应商，由于EUV技术的采用，减少了多重影像制作中的重复步骤，进一步提高了影像制作的准确性，增加了产品的性能与产量，也使得生产时间缩短。目前，三星的EUV技术将从其第4代10纳米级的DRAM生产中开始全面部署，预计从2021年开始量产第4代10纳米级的DDR5 DRAM和LPDDR5 DRAM。

据悉，三星在平泽工厂的EUV专用V2生产线将于下半年开始生产DRAM模块。该生产线预计将生产4代10nm级DDR5和LPDDR5。三星称，EUV技术将使其单个12英寸晶圆的生产效率提升一倍。

EUV光刻也叫极紫外光刻，它以波长为10-14纳米的极紫外光作为光源的光刻技术，需要通过通电激发紫外线管的K极然后放射出紫外线。这门技术有利有弊，好处是EUV光刻技术可以获得更多的时间来解决技术问题，提高性能参数。EUV光刻的不足在于下一个技术节点会对EUV提出更高的要求，当前的EUV光刻主要是用在7nm和5nm甚至3nm等芯片制造上，高端的存储芯片目前的制程在14nm到10nm之间，是否需要EUV光刻这么高端的技术，目前行业有很多争议。

好消息是，EUV光刻所能提供的高分辨率已经被实验所证实，光刻机供应商已经分别实现了20nm和14nm节点的SRAM的曝光，并与193i曝光的结果做了对比，EUV曝光的分辨率也远好于193i，这可能也是三星和SK海力士极力研究EUV光刻技术，毕竟对存储芯片制造有很大的帮助。 

EUV光刻技术是下一代最被看好的光刻技术，目前使用的厂商也就台积电等微乎其微的厂商，三星此前用的是激进式EUV光刻，和台积电的还是有区别的。目前EUV光刻仍面临许多挑战，如功率高的光源与适配的系统，设备的透射率与高吞吐量，掩模技术还不够成熟，配套的高灵敏度光刻胶等，当然最重要的还是存储芯片制造中的良率还是很低，需要技术和工艺的不断完善。

存储器产业在过去多年的发展中经过了残酷的商业竞争和淘汰，已经形成了寡头垄断的局面，三星，SK海力士和镁光在2018年DRAM全球市场中占比分别为45.5%，29.1%，21.1%，总占比超过95%，基本垄断了DRAM市场。当前DRAM的应用领域分为移动设备、服务器、消费电子、PC等主要领域，智能手机出货量面临瓶颈的背景下，移动端DRAM需求增长主要来自单机内存容量的提升。

当别的存储厂商还在研究紫外光的内存生产工艺，三星和SK海力士已经导入EUV光刻技术，再一次跑在存储产业的前面。

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