摩根士丹利(大摩)证券示警,由于需求疲软,加上厂商与客户端的高库存水位,存储供应链正面临巨大的库存去化压力,将导致下半年存储价格更快速下滑,且严重程度将大于市场预期。DRAM、NOR Flash、NAND Flash等三大行情'>存储行情都无法幸免于难。大摩半导体产业分析师詹家鸿指出,多头阵营可能认为,海力士与三星已停止生产1Gb及2Gb存储,并且降低DDR3的生产。不过,由于CMOS影像感测器(CIS)的市场展望趋于疲弱,三星正在将CIS的产能用来生产DDR3,使利基型DRAM供给更加恶化。长期来说,海力士及三星不会放弃消费性DRAM市场,而是移转到DDR4以放眼4Gb产品。此外,就各存储的价格趋势来看,利基型DRAM现货价预期将大幅下滑,第3季预估比第2季下跌13%至18%,第4季再比第3季下滑10%至15%。研调机构认为,消费性DRAM价格修正程度将大于预期。NAND芯片/固态硬盘(SSD)价格则更弱,第3季预期比第2季下跌13%至18%,第4季预期比第3季再跌15%至20%。詹家鸿指出,个人电脑及智能手机需求持续弱势,终端客户面临调降库存的压力。
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