三星：将逐季调涨NAND价格20%，直到明年Q2 ssd新闻存储新闻

三星：将逐季调涨NAND价格20%，直到明年Q2

2023-11-02

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据韩媒Pulse引述半导体产业多位消息人士的说法报道，三星电子决定在明年第1季与第2季将NAND价格调涨20%，接续在今年第4季涨价10%至20%的调涨行动。

NAND和DRAM占了三星电子约半数的存储芯片销售。尽管DRAM 报价近期已有回升趋势，但NAND价格依然低迷。

Pulse的报道指出，三星电子计划透过积极调涨价格，配合减产，以便恢复获利能力。

三星电子执行副总裁金在俊（Kim Jae-joon）在10月31日的财报会议上表示：「NAND的减产将以比DRAM目前相对更大的规模进行。」三星电子也已宣布更积极投入蓬勃发展的高频宽内存（HBM）市场。

金在俊说：「我们预期扩大生产HBM3和HBM3E。我们计划2024年的HBM供应量能将是今年的逾2.5倍。」他说，三星电子已经与主要客户就产量完成供应协商。

除了存储外，三星电子也寻求晶圆代工事业明年业绩回升。该公司晶圆代工事业在今年第3季亏损超过5000亿韩元。尽管疲软的表现是因为产线利用率减少，但获得了迄今最大的单季订单额。

券商预估三星电子的表现将从今年第4季开始大幅改善。DB金融投资分析师徐升妍表示：「由于第4季需求增加，包括DRAM在内，半导体产业表现预期会大幅提升。」

相关业者则表示，目前已听到原厂放话，明年报价'>存储报价要逐季成长，但通常产业不管多头或空头时，都有一种「涨价时乐观看涨很久、跌价时也是悲观一直看跌」的惯性，所以一口气喊涨到明年一整年也是有惯例可循；另一方面，原厂也透过预告明年逐季成长，「提醒」下游客户要赶紧备货，以免采购成本愈来愈高。

以两大存储价格走势来看，第三季NAND Flash现货价先涨，之后DRAM跟上，而第四季NAND Flash涨幅也大于DRAM，估今年第四季NAND Flash涨双位数、但因为大厂对DRAM的减产从降投片量到真的落实到产出的减少，估计到今年第四季才会明显发酵，且原厂都还在控制产量阶段，估明年DRAM/NAND Flash两大存储涨幅都会是双位数，且不排除DRAM的涨幅会跟上先起涨的NAND Flash。

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