据韩媒The Elec 14日报道，消息显示，三星导入更先进制程以降低DRAM成本的速度趋缓，恐怕是该公司不得不跟进美光（Micron）、SK 海力士（SK Hynix）减产的原因。倘若引入先进制程，降低成本的速度能快一些，三星或许就不必减产，还可趁着产业景气衰退之际扩大市占。

据报道，三星抢在对手之前采用极紫外光（EUV）微影设备，可能也是重创利润的原因。EUV制程昂贵，目前还无法发挥最大潜能。不过，三星提早采用EUV，未来提升生产力的速率也会比对手快。

对于10纳米范围的DRAM，记忆体商一般不会揭露精确节点，而是称之为1x（第一代）、1y（第二代）、1z（第三代）纳米。其中，1z大约介于13~11纳米。业者也于最近发表第四代的1a纳米。

根据市调机构统计，2022年第四季美光的1a纳米DRAM市占率为45.9%、SK海力士为20.8%、三星为5.7%。同期间内，1z纳米DRAM市占排名则依序为三星（46.1%）、SK海力士（32.3%）、美光（29.9%）。美光制造的1a DRAM比竞争对手多，主因该公司并未采用EUV，而是使用多重图案化（multiple patterning；MP）技术。美光预定2024年才会在1c纳米使用EUV。

The Elec引述消息人士指出，三星过去都能抢在对手前克服挑战、维系领导地位，如今却频频提及EUV和摩尔定律已死，这些其实都是「借口」。部分内部人甚至说，过去五年三星在研发新技术方面有点懈怠；该公司刚开始制造双栈（double-stack）NAND闪存（V7）时也遇到困难。

三星电子4月7日发表2023年第一季初步财报时曾宣布大幅削减存储产量，理由是全球需求低迷，客户因库存充足而放慢采购。

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