SK海力士完成1b DRAM研发，今年量产 ssd新闻存储新闻

SK海力士完成1b DRAM研发，今年量产

2023-06-02

阅读量 1819

韩国存储大厂SK海力士宣布，完成1b制程（第五代10纳米级）研发，并以新技术生产DDR5服务器DRAM执行英特尔数据中心存储认证程式，是英特尔代号Sapphire Rapids第四代Xeon可扩展数据中心处理器存储相容性正式认证流程。

SK海力士表示，这次DDR5 DRAM产品执行速度为6.4Gbps，也是同类产品速率最高，与测试品相比，数据处理速度提高33%，且采用HKMG（High-K Metal Gate）制程，较第四代10纳米级1α制程产品，功耗降低20%。

SK海力士1b制程研发成功，代表可向全球供应性能与功耗兼具的DRAM产品。SK海力士希望今年量产1b制程，以业界最高DRAM竞争力改善下半年业绩。SK海力士还打算将1b制程延伸至LPDDR5T、HBM3E等。

近期SK海力士财务状况不太好，4月2023财年第一季财报显示，因存储半导体市场持续低迷，需求疲软和产品价格下跌冲击，营收较2022财年第四季减少，且营业亏损增加。SK海力士决定以DDR5服务器DRAM和HBM等高性能DRAM，加上176层堆叠NAND Flash的SSD、uMCP等销售为主，以提升营业收入。

点击此处关注，获取最新资讯！