据闪德资讯获悉，10月19日，长鑫科技召开2026年第二次临时股东会。公司表示，目前合肥、北京两地晶圆厂持续保持高产能利用率，订单饱满，并将通过多元化产品布局和持续优化成本结构，应对市场变化。

本次股东会审议通过了使用部分超募资金投资建设新项目的议案。

该议案拟使用超募资金人民币130.00亿元投资新建技术研发项目，同时，公司拟通过增资和借款方式向全资子公司长鑫存储产品（合肥）有限公司（以下简称“长鑫产品合肥”）提供超募资金人民币50.00亿元，由长鑫产品合肥投资新建“长鑫存储产品（合肥）有限公司存储器晶圆后道测试基地二期项目”。

其中，技术研发项目计划投资总额为241亿元，拟使用超募资金投入金额130.00亿元，投资建设期为30个月，拟利用公司已有的产业化成果、技术优势和成熟经验，促进本项目的高效实施。资金使用计划如下：

长鑫存储产品（合肥）有限公司存储器晶圆后道测试基地二期项目计划投资总额为108亿元，其中公司将通过向长鑫产品合肥增资和提供借款方式投入超募资金金额50.00亿元。投资建设期为37个月，资金使用计划如下：

对于行业发展前景，长鑫科技表示，公司对DRAM行业长期发展保持充足信心。随着AI算力需求快速增长，全球DRAM市场持续扩容，预计2025年至2030年行业年均复合增长率将达到38.39%。

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