据闪德资讯获悉，9月20日，长鑫存储在世界制造业大会上宣布，第五代DRAM技术平台（G5平台）正式实现量产，并同步展示基于该平台打造的大容量LPDDR5X新品。该平台代表长鑫存储在高端DRAM技术路线上的重要突破。

据介绍，G5平台在关键工艺领域实现多项创新。通过四重曝光技术，将内存阵列有源区半间距微缩至11.95nm，并采用新材料及新工艺，使存储电容深宽比达到45:1。同时，长鑫存储引入适配DRAM工艺的高介电常数金属栅（HKMG）技术，进一步提升制程能力。

在研发过程中，长鑫存储还搭建数字孪生系统，覆盖设计、开发、制造及维护等环节，通过虚拟研发环境加速工艺优化，并在界面工程、鞍形鳍式结构、低k间隔层位线等关键技术上取得进展。

产品方面，G5平台推动存储密度和效率提升。相比第四代平台，每片晶圆裸片产出数量提升至少50%。基于该平台打造的两款LPDDR5X产品已进入规模量产阶段，单颗容量均达到24Gb，较上一代同类产品提升50%，采用496Ball和245Ball两种封装规格，可应用于中高端智能手机及便携式消费电子产品。

长鑫存储表示，未来将持续推进DRAM技术迭代，推出更高性能、更高可靠性的存储产品，为全球数字产业提供更多存储解决方案。

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