据闪德资讯获悉，SK海力士宣布，正式量产基于第六代10纳米级1c工艺的LPDDR5X低功耗DRAM的192GB容量SOCAMM2产品。

SK海力士表示，公司采用1c工艺的SOCAMM2，是专为高性能AI运算优化的解决方案。

与传统的RDIMM相比，带宽提升超两倍，功耗降低75%以上。

寄存双列直插式内存模块（RDIMM），则是在存储器模块的内存控制器与DRAM芯片之间增加可中继地址、命令信号的寄存器（Register）或时钟缓冲器（Buffer），适用于服务器和工作站的DRAM模块。

SOCAMM2产品是面向英伟达的Vera Rubin平台设计的，可从根本上缓解数千亿参数级AI大模型在训练与推理过程中所面临的存储瓶颈问题，SK海力士期待其助力能够大幅提升整体系统的处理速度。

SK海力士方面还表示，随着AI发展从训练转向推理阶段，支持大语言模型低功耗运行的SOCAMM2作为下一代存储器解决方案，正备受瞩目。为满足全球云服务供应商客户需求，公司提前搭建起稳定的量产体系。

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