据闪德资讯获悉，为争夺AI存储市场主导权，SK海力士已正式启动HBM4产品的全面重新设计，意味着AI存储市场的竞争进入关键转折阶段。

SK海力士目前研发HBM4存取速度为11.7Gbps，仍需进一步技术改良才能达到英伟达设定的最高性能标准。

计划在2026年底前交付先进硬件供测试，以巩固其在高性能计算市场的优势地位。

SK海力士现有HBM4采用10纳米级第五代DRAM核心芯片，搭配台积电12纳米制程基础芯片，业内表示，沿用旧有制造方法难以实现11.7Gbps的顶级性能，会带来不小的工程难题。

测试显示，现有HBM4在低速规格下可靠性较好，因此SK海力士采取务实策略，先向市场推出次一级HBM4产品，同时全力重新设计高速版本，为2027年全面部署做准备。

这一举措主要源于英伟达Rubin AI平台的双规格策略，该平台计划采用11.7Gbps和10.6Gbps两种速度芯片，以满足不同层级运算需求。

目前SK海力士凭借长期合约占据60%的市场份额，但三星的崛起带来巨大竞争压力，后者已进入HBM4早期量产阶段，且有望成为英伟达高速产品的独家供应商，导致SK海力士近期对英伟达的出货量暂时下滑。

三星HBM4良率尚未突破80%，暂时未扩大产能，这也为SK海力士提供了喘息空间。

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