SK海力士加码21.6万亿扩产DRAM

2026-02-26
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据闪德资讯获悉,SK海力士宣布,将在2030年前加码投资21.6万亿韩元,在韩国京畿道永仁半导体园区的首座晶圆厂增建5座无尘室,扩充先进制程产能。

这项投资案已获得SK海力士董事会通过,投资期限为2026年3月1日-2030年12月31日,投资金额约占公司股权29.23%。

SK海力士曾在2024年7月投资9.4万亿,用于永仁晶圆厂第一座无尘室及相关基础设施的建设。

加上此次加码的21.6万亿,永仁半导体园区首座晶圆厂的累计投资金额达到了31万亿。

SK海力士看好永仁半导体园区的发展潜力,推出了总规模高达600万亿韩元的长期投资计划。

该计划目标是在约197万平方米的基地内,兴建4座先进制程晶圆厂,目前首座厂房已进入施工阶段,后续将根据市场需求和产业景气度逐步推进。

SK海力士表示,此次追加的投资将用于完成首座晶圆厂的主体结构,并兴建第二期至第六期无尘室。

最终这座工厂将拥有2栋主体建筑及6座无尘室,核心目的是扩大实体产能,提升对客户需求波动的响应速度。

无尘室启用时间将从原定的2027年5月提前至同年2月,缩短投产等待时间。

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产品布局方面,SK海力士计划在永仁首座晶圆厂生产下一代DRAM,包括用于AI加速器的HBM,同时保留根据市场变化调整其他产品线的弹性。

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