据闪德资讯获悉，铠侠计划2026年启动下代BiCS10 3D NAND闪存的量产，支持大容量eSSD的需求。

BiCS10采用332层堆叠技术，支持4.8Gbps的I/O接口速率，位密度相较现有的BiCS8提升59%，数据传输速度改善33%、同时优化了耗电。

BiCS10由北上市新落成的Fab 2晶圆厂负责量产。

铠侠将在2025财年末开始量产BiCS9 NAND，是由现有BiCS5、BiCS8存储阵列的基础上，利用CBA技术从外围电路端进一步提升性能。

BiCS9将使用三重县四日市工厂，主要面向智能手机等需求。

点击此处关注，获取最新资讯！