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西部数据将HDD和NAND Flash拆分
2024-03-07阅读量1751
西数铠侠试产112层3D NAND:产能提升迅速
近日,根据报道,西部数据宣布已经与合作伙伴铠侠成功研发出第五代3D NAND技术BiCS5,采用112层堆叠,巩固其在业内的领先地位。
闪德资讯· 2020-02-04阅读量2835
西数铠侠成功开发 112 层堆叠 BiCS5 技术 3D NAND Flash
西数(Western Digital)24 日宣布,成功开发出第 5 代 3D NAND Flash 的技术 BiCS5,未来将持续提供业界最先进的快闪记忆体技术,维持其领导地位。
闪德资讯· 2020-02-25阅读量2996
西数推出两款新车规级存储,最高96层3D NAND
西部数据于11月30日召开了「数据存储 赋能智驾未来」为主题西部数据汽车技术论坛2022,推出了两款车规级存储iNAND EU321/EM132。
2022-12-06阅读量2184NAND
西数将拆分NAND Flash部门与铠侠合并
据彭博社报道,经过几个月谈判后,西部数据和铠侠即将达成协议,主要是分拆西部数据NAND Flash闪存部门与铠侠合并。
2023-07-18阅读量2016NAND Flash
西数和铠侠宣布推出218层3D NAND闪存
近日,铠侠和西部数据宣布,推出218层3D NAND闪存。
2023-04-03阅读量1751NAND
英特尔大连NAND闪存业务豁免一年,可继续运营NAND闪存芯片业务
10月11日,英特尔发布推文称,已从美国商务部获得为期一年的授权,可继续运营其当前位于中国大连的NAND闪存芯片业务。
2022-10-14阅读量5238
英特尔MRAM量产在即:DRAM和NAND再遇强敌
在经历2016年中到2018年底的疯狂之后,DRAM内存和NAND闪存的都在2018年出现下跌。价格下跌还不是DRAM内存和NAND闪存最坏的消息。行业资讯网站EETimes不久前发布一份报告显示,英特尔自主研发的商用MRAM(磁阻随机存取存储器)已经做好大批量生产的准备。
天极网硬件频道· 2019-02-23阅读量2849
英特尔70%的3D NAND快闪存储器来自大连晶圆厂
英特尔2006年与大连市政府达成合作协定,2007年起在大连投资25亿美元,建设12英寸晶圆厂,主要负责处理器封装测试,2010年大连晶圆厂正式落成。
电子发烧友网· 2018-10-31阅读量3602
英特尔144层QLC和TLC NAND发布
据英特尔消息,英特尔宣布对其大多数SSD产品系列进行更新,英特尔的144层QLC和TLC NAND发布。
闪德资讯· 2020-12-17阅读量4831NAND

存储未来,赢得先机

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