三星叫阵台积电 全力冲刺3纳米

三星14日宣布，将在2021年推出突破性的3纳米制程“环绕式闸极结构”（Gate-All-Around，GAA）技术，具备速度更快、更轻薄短小、耗电更低等优势。

中国IC交易网· 2019-05-16阅读量2825

三星发生良率事故：高通5G芯片全部报废

日前有市场消息传出，移动处理器大厂高通（Qualcomm）交由韩国三星所代工的中端5G处理器 Snapdragon SDM7250因良率问题全数报废的消息，引起一片哗然。因为如果此事属实，未来恐经影响对于高通在5G处理器的供货状况，也可能有助于包括联发科在内竞争对手进一步抢食市场，引起市场人士关注。

新浪科技· 2019-08-22阅读量2697

三星发现全新半导体材料：内存、闪存迎来革命

三星电子宣布，三星先进技术研究院(SAIT)联合蔚山国家科学技术院(UNIST)、英国剑桥大学，发现了一种全新的半导体材料“无定形氮化硼”(amorphous boron nitride)，简称a-BN，有望推动下一代半导体芯片的加速发展。

快科技 · 2020-07-07阅读量2295三星

三星发布首款512GB内存扩展器CXL DRAM

三星宣布开发出旗下首款512GB内存扩展器 （CXL，Compute Express Link）DRAM

2022-05-11阅读量2903三星

三星发布有人工智能的内存处理架构

三星在HBM-PIM上的论文已被选中在2月22日举行的着名国际固态电路虚拟会议（ISSCC）上进行演示。三星的HBM-PIM现在正由领先的AI解决方案合作伙伴在AI加速器中进行测试，所有验证预计将在今年上半年完成。

闪德资讯· 2021-02-22阅读量3155三星

三星发布业内首款12层36GB HBM3E内存，下半年量产

三星电子27日表示，公司成功研发出利用硅通孔技术（TSV）的业界首款12层堆叠第五代高带宽内存（HBM3E）「HBM3E 12H DRAM」，容量达到业内最大的36GB。

2024-02-28阅读量1651三星

三星发布9100 Pro PCIe 5.0 SSD

三星发布了9100 PRO PCIe 5.0 NVMe SSD，该产品是990 PRO的继任者。

2025-02-26阅读量1160三星

三星发布256GB SD Express microSD卡

2024-02-29阅读量1783

三星发布2020第四季财报，存储器出货量超预期

在未来的第一季度，三星的所有工艺技术的需求可能仍将保持强劲，并且预计短期内供应短缺将继续。该公司将通过扩大先进工艺的比例灵活地运营其生产线，并将专注于开发第一代和第二代3纳米工艺。

闪德资讯· 2021-01-28阅读量3292三星

三星发布12nm级制程DDR5 DRAM

9月1日，三星电子宣布，成功开发业界首款采用12纳米制程技术打造的16GB DDR5 DRAM，并携手AMD完成产品的兼容性评估。

2023-09-04阅读量1475三星