三星宣布量产4-Bit QLC SSD，最高容量达到4TB

近期以来，在快闪存储器（Nand Flash）市场竞争激烈的情况下，各家厂商开始寻求新技术的产品来满足市场的需求。因此，厂商们都开始将目光转向了QLC架构的快闪存储器上。之前包括英特尔（Intel）、美光（Micron）、西数（WD）、东芝（Toshiba）等大厂就已经宣布推出了QLC架构的快闪存储器，现在三星也正式宣布量产首款搭载QLC快闪存储器的SSD。

TechNews科技新报· 2018-10-29阅读量3016

三星宣布量产236层8代V-NAND闪存，将PCIe 5.0提速至12GBps以上

三星电子现宣布已经开始大规模生产其236层3D NAND闪存芯片，该公司将其命名为第8代V-NAND。

2022-11-07阅读量2110三星

三星宣布退出LCD面板惨业

三星显示器将全面退出LCD面板产业！三星显示器31日发信通知所有客户，决定到2020年12月底为止、将终止所有LCD产品供应，以加快转向QDdisplay事业（量子点OLED）。

2020-04-01阅读量2965三星

三星宣布推出业界首个EUV DRAM，并出货第一百万个模块

基于EUV的第一代10nm级DRAM（D1x）已完成其客户评估；EUV将于明年从第四代10nm级DRAM（D1a）全面部署。

闪德资讯· 2020-03-25阅读量2812三星

三星宣布开始量产业内首批12GB LPDDR4X uMCP芯片

作为全球先进存储器技术的领导者，三星今日宣布量产业内首款基于 UFS 多芯片封装（uMCP）的 12GB LPDDR4X 内存解决方案。作为技术日（Samsung Tech Day）活动的一部分，三星在其位于加州圣何塞的设备解决方案（Device Solutions）美国总部发布了这一公告。除了为中端市场客户提供 10GB 以上内存解决方案，这款大容量 uMCP 还可利用业内首个 24Gb LPDDR4X 芯片。

cnbeta· 2019-10-24阅读量3053三星

三星宣布延长工时，SK海力士或跟进

韩国劳动部批准了三星电子半导体系统部门的特殊工时申请

2025-04-21阅读量1273三星

三星宣布已开始量产业界首款第9代V-NAND

三星电子今（23）日宣布，其1Tb TLC第9代V-NAND已开始量产

2024-04-23阅读量1682三星

三星宣布将投入 1,160 亿美元到非记忆体晶片的研发与生产

三星的记忆体部门向来是个金鸡蛋，但就算是金鸡蛋也有褪色的时候－－受到近期DRAM和NAND记忆体价格大跌与智慧型手机出货量下降的影响，三星第一季的营业利润据报下滑了60%之多，因此寻找新的出路成为了当务之急。

中国IC交易网· 2019-04-28阅读量2638

三星宣布完成业界首款GDDR7开发，能效提升20%

三星宣布，已经完成了业界首款GDDR7芯片的开发工作，每个数据I/O接口的速率达到了32Gbps。

2023-07-20阅读量1463三星

三星完成业界最快LPDDR5X验证

三星今（16）日宣布，已成功完成业界最快的10.7Gbps LPDDR5X DRAM的验证，可用于联发科的下一代天玑平台。

2024-07-16阅读量11664三星