西数铠侠成功开发 112 层堆叠 BiCS5 技术 3D NAND Flash

西数（Western Digital）24 日宣布，成功开发出第 5 代 3D NAND Flash 的技术 BiCS5，未来将持续提供业界最先进的快闪记忆体技术，维持其领导地位。

闪德资讯· 2020-02-25阅读量2695

西数推出两款新车规级存储，最高96层3D NAND

西部数据于11月30日召开了「数据存储 赋能智驾未来」为主题西部数据汽车技术论坛2022，推出了两款车规级存储iNAND EU321/EM132。

2022-12-06阅读量1917NAND

西数将拆分NAND Flash部门与铠侠合并

据彭博社报道，经过几个月谈判后，西部数据和铠侠即将达成协议，主要是分拆西部数据NAND Flash闪存部门与铠侠合并。

2023-07-18阅读量1813NAND Flash

西数和铠侠宣布推出218层3D NAND闪存

近日，铠侠和西部数据宣布，推出218层3D NAND闪存。

2023-04-03阅读量1482NAND

英特尔大连NAND闪存业务豁免一年，可继续运营NAND闪存芯片业务

10月11日，英特尔发布推文称，已从美国商务部获得为期一年的授权，可继续运营其当前位于中国大连的NAND闪存芯片业务。

2022-10-14阅读量5002

英特尔MRAM量产在即：DRAM和NAND再遇强敌

在经历2016年中到2018年底的疯狂之后，DRAM内存和NAND闪存的都在2018年出现下跌。价格下跌还不是DRAM内存和NAND闪存最坏的消息。行业资讯网站EETimes不久前发布一份报告显示，英特尔自主研发的商用MRAM(磁阻随机存取存储器)已经做好大批量生产的准备。

天极网硬件频道· 2019-02-23阅读量2569

英特尔70%的3D NAND快闪存储器来自大连晶圆厂

英特尔2006年与大连市政府达成合作协定，2007年起在大连投资25亿美元，建设12英寸晶圆厂，主要负责处理器封装测试，2010年大连晶圆厂正式落成。

电子发烧友网· 2018-10-31阅读量3272

英特尔144层QLC和TLC NAND发布

据英特尔消息，英特尔宣布对其大多数SSD产品系列进行更新，英特尔的144层QLC和TLC NAND发布。

闪德资讯· 2020-12-17阅读量4396NAND

花旗 : 2019年NAND Flash及DRAM将各跌价45%与30%，第2季前难落底

​对于即将到来的2019年记忆体市场状况，日前外资花旗银行分析师做出的报告指出，2019年在NAND Flash方面会降价45%，而DRAM 方面则会再跌30%。并且，预估到2019年第2季之前还看不到价格底线，这使得各大记忆体厂开始预做准备。

中国IC交易网· 2018-12-12阅读量1103

脱离镁光再次突破！英特尔将发布144层3D NAND用以领先镁光技术

英特尔的内存和存储产品部门现在拥有一个完全独立的NAND闪存技术开发团队，该团队与镁光科技（Micron Technology）分拆后，成为了IMFlash Technologies合资企业的一部分。

2020-05-09阅读量2855