打破三星独霸！3D NAND flash群雄并起

记忆体的3D NAND flash大战即将开打！目前3D NAND由三星电子独家量产，但是先有东芝(Toshiba)杀入敌营，如今美光(Micron)也宣布研发出3D NAND，而且已经送样，三星一家独大的情况将划下句点。

电子发烧友网· 2018-12-14阅读量2646

慧荣科技宣布全系列主控芯片全面支持长江存储 Xtacking 3D NAND

全球NAND闪存主控芯片设计与营销领导品牌——慧荣科技（Silicon Motion Technology Corporation, NASDAQ: SIMO）宣布该公司全系列主控芯片全面支持长江存储Xtacking 3D NAND闪存，包括长江存储最新研发成功的128层 Xtacking 3D TLC/QLC闪存，为全球市场注入更完整及更多元化的存储解决方案。

网络整理· 2020-09-11阅读量2551

慧荣推第三代PCIe Gen4 SSD控制芯片 满足次世代3D NAND设计需求

2023-02-17阅读量18263D NAND

慧荣发布最新主控SM2271：支持3D QLC，最大容量16TB

慧荣科技发布最新企业级SATA SSD主控SM2271：支持3D TLC/QLC NAND，8通道

中国闪存市场· 2019-03-16阅读量1896

市场规模可达上千亿美元，三星2025年率先进入3D DRAM时代

三星电子于产业会议Memcon 2024表示，2025年后进入3D DRAM时代。

2024-04-02阅读量14813D

存储领域竞争加剧，3D NAND蚀刻逐步明朗化

3D NAND的出现也是因为2D NAND无法满足人们的需求。NAND闪存不仅有SLC、MLC和TLC几种类型之分，为了提高其容量、降低成本，NAND的制造工艺也在不断进步，厚度开始不断降低，但NAND闪存和处理器还是有很大不同的。

OFweek电子工程网· 2018-11-26阅读量3980

外银预估3D DRAM技术有望10年内成形

随着时间推移，DRAM技术迁移和微缩面临越来越多的挑战，瑞银投资银行全球研究部指出，10年内，3D DRAM技术有望成形。

2022-01-25阅读量22453D

堆叠数超300层！SK海力士公告第8代3D NAND

近日，SK海力士宣布第八代3D NAND的详细信息，堆叠层数超过300层，预估将于2024年年底或者2025年年初上市发售。

2023-03-20阅读量15733D NAND

国内首款3D AI/MR芯片即将量产 华捷艾米冲刺5G时代

只有自主研发芯片，才能尽快抢占MR的新赛道

华尔街见闻· 2019-04-22阅读量1950

国内研法的32层3DNAND闪存芯片已经大规模生产？对于国产你期待吗？

紫光集团董事长赵伟国近日在出席首届中国国际智能产业博览会时透露，紫光旗下长江存储的1000人团队耗资10亿美元，历时2年研发成功了国内第一颗32层3DNAND闪存芯片，将在2018年第四季度实现量产。

电子发烧友网· 2018-11-02阅读量2292