SK海力士：EUV入华「问题不大」，与无锡签约深化合作

若SK海力士EUV入华升级改造无锡厂产线失败或显著被推迟，都将影响SK海力士相对于三星和美光的竞争力。

2022-01-29阅读量3288DRAM

SK海力士量产全球首款12层HBM3E

该公司计划在年底前向客户提供性能最高、容量最高的12层HBM3E

2024-09-26阅读量1026DRAM

SK海力士砸146亿美元大扩产，要在韩国建新内存芯片厂

公司通过董事会决议，将建设在韩国忠清北道清州市的M15X产线，作为新的DRAM生产基地，并决定向晶圆厂建设投资约5.3万亿韩元。

2024-04-25阅读量1488DRAM

SK海力士垄断高容量内存市场，14nm级DDR5产品良率已达9成

据《朝鲜日报》援引业界相关人士称，SK海力士1a（第四代10nm，属于14nm级）DDR5 DRAM产品良率高达90%，远高于竞争对手。

2023-06-20阅读量1534DRAM

SK海力士副总裁：HBM将发挥超出内存的作用

下一代 HBM 不仅必须在功能上表现出色，而且还需要演进为这种形式可以发挥超出内存的作用，为每个客户提供量身定制的差异化专业功能。

2024-03-30阅读量1385DRAM

Q4内存颗粒价格降幅15%左右，DDR5与DDR4差价进一步缩小

据电子时报报道，行业人士认为，由于当下笔记本电脑市场情况持续低迷，厂商升级搭载DDR5的意愿疲弱，从而导致DDR5等内存颗粒进一步降价。

2022-10-19阅读量1955DRAM

NAND芯片价格暴跌

2024年10月，在存储半导体市场，DRAM价格保持持平，NAND闪存价格则接近30%的大幅跌幅。

2024-11-04阅读量894DRAM

NAND本季涨幅最明显，存储现货价涨势续热

存储三大原厂包括三星、SK海力士及美光大幅减产、控制产出下，存储现货价涨势持续。其中，NAND因亏损较严重，涨幅较为明显。

2023-11-28阅读量1282DRAM

2025年存储市场趋势预测

韩国机构将SK海力士的目标股价下调4.5%，从22万韩元下调至21万韩元。

昨天阅读量703DRAM

2023年存储前景仍弱，美光大砍2成产量

11月16日，美光宣布，为应对市场状况，该公司将DRAM和NAND晶圆开工率比2022财年第四季度减少约20%。

2022-11-17阅读量1710DRAM