三星率先开发出12层3D硅穿孔堆叠：HBM存储芯片容量提至24GB

随着集成电路规模的扩大,如何在尽可能小的面积内塞入更多晶体管成为挑战,其中多芯片堆叠封装被认为是希望之星。三星称,他们得以将12片DRAM芯片通过60000个TSV孔连接,每一层的厚度仅有头发丝的1/20。

电子产品世界· 2019-10-08阅读量2775三星

三星独家供货英伟达12层HBM3E内存

英伟达最快将从9月开始大量购买12层HBM3E内存，这些内存将由三星电子独家供货。

2024-03-26阅读量1173三星

三星汽车存储路线图公布

2023-11-24阅读量1795

三星正重新磋商是否出席MWC

出于健康安全考虑，LG、爱立信、NVIDIA等都取消了月底赴西班牙巴塞罗那参加MWC世界移动通信大会的计划。

闪德资讯· 2020-02-09阅读量2049三星

三星正式发布UFS 4.0闪存，顺序读取速度4200MB/s！

5月4日，三星正式公布了UFS（通用闪存）4.0存储解决方案

2022-05-05阅读量2763三星

三星正在开发HBM4，目标2025年供货

三星已开始为客户提供较高的带宽内存HBM3E样品，下一代产品HBM4正在开发，目标2025年供货。

2023-10-11阅读量1680三星

三星正在失去印度市场

“印度的五大手机品牌里，基本是四个中国品牌在蚕食一个韩国品牌”，主管Realme手机印度销售业务的王硕在接受第一财经记者专访时表示。

2020-05-18阅读量2094三星

三星欲研发6亿像素传感器 或主要用于物联网

此前有消息称三星正在开发一款全新的一亿像素图像传感器。三星LSI执行副总裁Yongin Park在官方网站上发表的最新文章中说，三星有计划研发超过人眼极限（约5亿像素）的6亿像素传感器产品。

2020-04-26阅读量3095

三星欧洲 5G 市场困境：想要替代传统供应商没那么简单

Light Reading 报道称，去年电信基础设施项目（TIP）对 7 家供应商提供更开放、更强互操作性的 5G 产品的能力进行了评估，这一信息请求（RFI）试图确定这些供应商的产品是否符合 Open RAN 要求，其结果令人吃惊。

Light Reading · 2020-07-15阅读量2591三星

三星李在镕访美，或敲定芯片厂选址

据路透社15日消息，韩国三星电子副会长李在镕正在访问北美，这是他因贿赂入狱获得假释后的首次高调出访。三星即将就在美国建造170亿美元的芯片厂作出决定。

2021-11-16阅读量2776三星