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含“
NAND Flash
”搜索结果为 546 条
3D
NAND
,SSD的新方向
目前平面结构的NAND闪存已接近容量极限,而升级制程耗资巨大,这给半导体存储器行业带来了严峻挑战。3D NAND就是目前解决这一问题的最佳方法之一,它由Intel和美光(Micron)合作研发,通过把内存颗粒堆叠在一起后进行封装,可以在相同制程下大大增加存储密度。
cfan· 2018-11-21
阅读量
4039
3D
NAND
Flash
技术发展到极限,5年内利润空间恐压缩至零
日前SK海力士(SK Hynix)预料,3D NAND Flash发展到200层左右将达可生产性极限,5年内利润空间恐压缩至零,需业界合作开发新材料因应。
电子发烧友网· 2018-10-29
阅读量
3276
2月DRAM价格持平,
NAND
价格连续5个月上涨
2024-03-07
阅读量
2393
2024年Q2原厂3D
NAND
技术最新进展
据Tech Insights更新的2024年第二季闪存技术路线图显示
2024-06-19
阅读量
2299
NAND
2020年
NAND
FLASH
制程有变动,镁光、英特尔等原厂已着手这几步
基本可以看出,除了英特尔,铠侠存储都是有固定老客户外,其他原厂皆以扩大3D 100+NAND FLASH产能为主,在应用领域的走势也偏向于5G、AI 智能相关领域,对于后续产品还有什么组合变更,敬请关注下期。
闪德资讯· 2020-04-16
阅读量
3637
NAND
2019止不住的存储芯片降价:
NAND
闪存跌45%、内存芯片降30%
2018年还有三周时间就过去了,对于半导体行业来说,这两年因为存储芯片价格大涨而出现了一轮牛市,但2019年的风向就变了,半导体市场产值大涨的局面不会有了,以往领跑芯片市场的内存、闪存明年都要降价,这一趋势已经不可避免。那么2019年DRAM内存、NAND闪存会降价多少呢?花旗给出的预测显示明年NAND闪存会降价45%,DRAM内存则会跌30%,而且Q2季度之前是看不到价格底线的。
超能网· 2018-12-11
阅读量
3203
176层4D
NAND
,SK海力士将在CES 2023展示高效能存储器
SK海力士27日表示,公司将参与明年1月5日至8日在美国拉斯维加斯举行的世界最大的电子、IT展示会——「CES 2023」,展示主力存储器产品和新的产品阵容。
2022-12-27
阅读量
2504
NAND
128层3D
NAND
明年渐成主流
第三季度全球NAND闪存市场明显复苏,三星、铠侠(原东芝存储)、美光等主要存储厂商的出货量均有较大幅度增长。在此情况下,各大厂商之间加紧了竞争卡位,以期在新一轮市场竞争中占据有利位置。三星、美光、SK海力士均发布了128层3D NAND闪存芯片,将NAND闪存的堆叠之争推进到了新的层级。
全球半导体观察· 2019-12-04
阅读量
2314
NAND
10万次P/E!宇瞻发布新款3D
NAND
闪存
存储模组厂宇瞻提高3D NAND SLC-liteX技术,可达业界最高10万写入/擦除次数(P/E cycles),让成本相对较具优势的3D TLC NAND也能拥有SLC NAND的耐用性能,同时具备多样规格及-40~+85度C宽温技术选择
2022-03-11
阅读量
2847
NAND
日本强震使东芝暂关产线,
NAND
Flash
有涨价契机
其中邻近震央的东芝半导体公司的据点,在公司持续对产线进行安全检查的同时,也同时宣布暂时关闭当地的NAND Flash晶圆厂。因此,市场预计将冲击PC零组件的供应状况,也可能造成相关产品的涨价。
2024-01-04
阅读量
1953
NAND Flash
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