美光推出1z制程GDDR6，效能最高达512GB/s

美光科技日前宣布，推出最新版、高性能16Gb/16Gbps GDDR6存储解决方案，使用美光的先进1z制程技术，可以达到最高512GB/s的系统性能

2021-11-04阅读量3764美

美光推出 1β DDR5 DRAM，性能比前代提升50%

今日，美光公司发布新闻稿，进一步扩展了1β（1-beta）工艺节点技术，推出16Gb DDR5内存。

2023-10-11阅读量1658美

美光推全新汽车级NAND产品，抢攻车联网商机

记忆体制造商美光科技(Nasdaq: MU)宣布推出专用于汽车应用的全新Micron UFS 2.1管理型NAND产品(managed NAND)，以满足车载资讯娱乐系统及仪表板对快速系统启动及更高数据频宽的需求，抢攻车联网商机。

中国IC交易网· 2019-06-12阅读量1369

美光推低功耗内存模组，助阵AI PC

美光将LPDDR5X DRAM整合到全新LPCAMM2规格尺寸中，相较SODIMM产品，在PCMark 10基本工作负载等方面可降低61%功耗，提升高达71%效能，并节省64%的空间。

2024-01-19阅读量1507美

美光抢先支持佳能纳米半导体压印技术，以降低DRAM生产成本

美商存储大厂美光计划首先支持日本佳能(Canon) 的纳米半导体压印技术，希望借此进一步降低生产DRAM内存的成本。

2024-03-06阅读量1919美

美光投资西安封测厂逾43亿，引入新产线制造存储产品

美光科技今（16）日宣布，计划在未来几年中对其位于中国西安的封装测试工厂投资逾43亿元人民币。

2023-06-16阅读量2282美

美光投资70亿美元扩建工厂

美光科技在新加坡的HBM先进封装厂破土动工，这是新加坡第一家同类工厂。

2025-01-09阅读量1489美

美光投资21.7亿美元扩建工厂

美光计划投资21.7亿美元扩建位于弗吉尼亚州马纳萨斯的工厂，创造340个就业岗位。

2025-01-02阅读量1476美

美光投千亿美元打造半导体制造园区，预计雇用9千人

美光科技计划在美国纽约州雪城郊区投资1千亿美元打造半导体制造园区，2024年开始动工兴建、2045年完成建设，预计雇用9千人。

2023-03-20阅读量1790美

美光扩大在新加坡的研发业务，致力于制造3D NAND闪存

半导体行业巨头美光在新加坡的新工厂破土动工，该工厂将致力于制造3D NAND Flash。该公司并未透露具体产能，只表示其在该项目上的投资将达到总计数十亿美元。 此外，其还披露将扩大在新加坡的研发业务。

电子发烧友网· 2018-10-29阅读量4264