SK海力士已开发出176层4D NAND闪存芯片

据SK海力士表示，他们已开发出一种176层4D NAND闪存芯片，这种芯片具有更高的生产率和性能。SK海力士称，新的芯片是其4D产品的第三代产品，该产品突出了业内每晶圆的最佳芯片数量，176层的512Gb TLC 4D NAND闪存样品已于上个月提供给闪存控制器公司以制造解决方案产品。

闪德资讯· 2020-12-07阅读量3194

SK海力士展示全球首款321层NAND闪存，计划2025年量产

SK海力士宣布，在美国圣克拉拉举行的2023闪存峰会（Flash Memory Summit 2023）上，首次展示了全球首款321层NAND闪存，成为了业界首家开发300层以上NAND闪存的公司。

2023-08-09阅读量2151NAND

SK海力士将238层V8 NAND嫁接到UFS 4.0 最快明年上半年量产

SK海力士将把目前最高的238层NAND（V8）应用于新一代内置闪存UFS（通用闪存）的最新规格产品，预计最早明年上半年可以量产。

2022-08-17阅读量2609

SK海力士宣布96层QLC 1Tb NAND送样，并获慧荣认证

SK海力士宣布已向主要SSD（固态硬盘）控制器公司提供新的1Tb QLC NAND样品，还开发了自己的QLC软件算法和控制器，计划扩大基于96层1Tb QLC 4D NAND的组合产品，加强对下一代高密度存储器市场的响应能力，满足客户需求。

中国IC交易网· 2019-05-10阅读量2774

SK海力士完成收购英特尔NAND闪存芯片业务的第一阶段工作

据路透社消息，SK海力士今（30）日表示，在获得包括中国在内的八个国家的监管批准后，它完成了收购英特尔 NAND闪存芯片业务的第一阶段工作。

2021-12-30阅读量2955NAND

SK海力士公布新产品规划：2030年推800+层堆叠NAND Flash，届时SSD可达200TB

​目前，两大韩系NAND Flash厂商──三星及SK海力士已经公布了新NAND Flash产品的发展规划。其中，三星宣布推出136层堆叠的第6代V-NAND Flash，SK海力士则是宣布成功开发出128层堆叠的4D NAND Flash，并已经进入量产阶段。

全球半导体观察· 2019-08-13阅读量2474

SK海力士NAND市场份额超20%

SK海力士今年在全球NAND市场份额预计将首次超过20%。

2024-11-20阅读量1589NAND

SK海力士NAND减产10%

SK海力士计划在今年上半年将NAND产量减少10%。

2025-01-15阅读量1108

SK海力士128层NAND Flash工程样品交货，大容量将成主流？

韩国存储器大厂SK海力士正式宣布量产128层堆叠的4D NAND Flash，正式将SSD的容量进行大幅度的升级。

闪德资讯· 2019-11-22阅读量3211

SK Hynix宣布世界首个4D NAND闪存：96层堆栈，64TB容量

在这两天的FMS国际闪存会议上，多家NAND厂商都宣布了新一代的3D NAND闪存技术，国内的紫光公司也首次公开了Xtacking堆栈技术，SK Hynix公司在FMS 2018会议上宣布了世界首个4D NAND闪存技术，这名字比现在的3D NAND闪存听着更先进，堆栈层数达到了96层，TLC闪存类型，核心容量可达1Tb，U.2规格最高可做到64TB容量。

超能网· 2018-10-30阅读量3367