三星电子公开内存研究成果

2023-08-30阅读量1997

三星电子上半年内存产量暴增

三星电子仅在上半年（1月至6月）就生产了超过1万亿个芯片。

2024-08-23阅读量1629

三星独家供货英伟达12层HBM3E内存

英伟达最快将从9月开始大量购买12层HBM3E内存，这些内存将由三星电子独家供货。

2024-03-26阅读量1218

三星推出LPCAMM内存，2024年商业化

韩国存储大厂三星宣布，推出采用LPDDR设计的LPCAMM内存。

2023-09-27阅读量2159内存

三星扩大减产幅度，强化DDR5高阶内存生产

据台媒《经济日报》报道，三星昨（27）日举行财报会议，释出旗下存储减产幅度将「远大于先前预期」的讯息，并看好下半年景气回升。

2023-04-28阅读量1928

三星成立新HBM团队，加速「Mach-2」内存开发

三星的HBM小组主要负责DRAM、NAND闪存的研发与销售。三星执行副总裁兼DRAM产品与科技长HwangSang-joon将负责带领新团队。这是三星1月启动HBM任务团队以来，第二个聚焦HBM的小组。

2024-04-02阅读量1980内存

三星将量产下一代GDDR7内存

三星电子近日通过其半导体官网公布了两款GDDR7内存产品的规格。

2024-03-30阅读量2085内存

三星将通过晶圆代工弥补内存降价的损失：2020推3nm工艺

持续两年多的DRMA内存芯片涨价今年10月份就结束了，遭受涨价之苦的下游厂商及消费者总算可以舒口气了，花旗集团日前给出的预测是明年DRAM内存至少会降价30%。对于DRAM厂商来说，内存降价是他们极不愿意看到的，特别是第一大内存供应商三星，DRAM芯片占了三星公司半导体业务营收的85%。

爱集微· 2018-12-12阅读量2638

三星将大规模量产HBM内存芯片

2023-06-28阅读量2680

三星发现全新半导体材料：内存、闪存迎来革命

三星电子宣布，三星先进技术研究院(SAIT)联合蔚山国家科学技术院(UNIST)、英国剑桥大学，发现了一种全新的半导体材料“无定形氮化硼”(amorphous boron nitride)，简称a-BN，有望推动下一代半导体芯片的加速发展。

快科技 · 2020-07-07阅读量2340