不怕掉电！第二代STT-MRAM自旋磁阻内存试产

专注于MRAM(磁阻内存)研究的Everspin最近宣布，继去年底首次提供预产样品之后，现在已经开始试产第二代STT-MRAM(自旋转移矩磁阻内存)

中国IC交易网· 2019-06-26阅读量2988

不再高不可攀！内存供应商下调入门级DDR5芯片价格

据Digitimes报道，业内人士透露，内存供应商已经开始下调其入门级DDR5芯片价格。

2022-09-05阅读量2139内存

三星第五代DDR内存良率不达标

据韩国媒体ZDNet Korea报道，三星第五代10纳米级（1b）制程DRAM内存良率未达业界80%~90%的一般目标，这使得三星已于上个月开始，成立专门工作小组来进行解决。

2024-06-12阅读量2579

三星电子：内存市场明年上半年反弹

新韩投资公司(Shinhan)分析师Choi Do-yeon和NamKung Hyon日前指出，三星电子日前公布的其2022年Q2的业绩报告显示，在宏观不确定性上升的情况下，其半导体部门的收益回升，但由于本季度末订单下降，存储芯片出货量远低于预期。

2022-08-01阅读量2346

三星电子公开内存研究成果

2023-08-30阅读量2251

三星电子上半年内存产量暴增

三星电子仅在上半年（1月至6月）就生产了超过1万亿个芯片。

2024-08-23阅读量1845

三星独家供货英伟达12层HBM3E内存

英伟达最快将从9月开始大量购买12层HBM3E内存，这些内存将由三星电子独家供货。

2024-03-26阅读量1337

三星推出LPCAMM内存，2024年商业化

韩国存储大厂三星宣布，推出采用LPDDR设计的LPCAMM内存。

2023-09-27阅读量2392内存

三星扩大减产幅度，强化DDR5高阶内存生产

据台媒《经济日报》报道，三星昨（27）日举行财报会议，释出旗下存储减产幅度将「远大于先前预期」的讯息，并看好下半年景气回升。

2023-04-28阅读量2107

三星成立新HBM团队，加速「Mach-2」内存开发

三星的HBM小组主要负责DRAM、NAND闪存的研发与销售。三星执行副总裁兼DRAM产品与科技长HwangSang-joon将负责带领新团队。这是三星1月启动HBM任务团队以来，第二个聚焦HBM的小组。

2024-04-02阅读量2130内存