含“3D NAND”搜索结果为 452 条
SK海力士拟在-70°C生产3D NAND,可超400层
SK海力士正在测试东京威力科创(TEL)最新的低温蚀刻工具,可在-70°C工作,以实现400层以上新型3D NAND。
2024-05-08阅读量14433D NAND
SK海力士宣布将停产36层和48层3D NAND产品
在NAND领域中,未来将着重改善收益。将停止生产成本相对高的3D NAND初期产品-2代(36层)、3代(48层),并提高72层的生产比重
中国IC交易网· 2019-04-26阅读量2424
SK海力士与Intel谈判 欲收购大连工厂及3D NAND业务
7月11日消息,海力士计划收购Intel位于中国大连的Fab 68工厂。知情人士透露,“根据目前进展,海力士正在跟Intel谈判,海力士想收购整个Intel大连工厂和3D NAND业务,Intel只保留与XPoint相关的技术。”
集微网· 2019-07-12阅读量2068
Nextin将向韩存储器公司供应3D NAND下层检测设备
据韩媒报道,业界最新消息,半导体光学检测设备公司Nextin计划在今年年底或明年初向韩国国内主要存储器公司供应3D NAND下层检测设备「IRIS」。
2022-10-13阅读量34253D NAND
NEO发布最新3D X-AI芯片
NEO Semiconductor发布了3D X-AI芯片技术,宣称该技术可实现目前HBM存储器方桉百倍的AI 处理能力,同时功耗也可降低99%。
2024-08-21阅读量997
NEO Semiconductor率先发布3D DRAM技术
2023-05-11阅读量1934
IBM与东京电子合作,开发新3D芯片堆叠技术用于12吋晶圆
IBM和日本半导体设备商东京电子日前宣布,在3D芯片堆叠方面获得了新的技术突破,成功运用了一种新技术将3D芯片堆叠技术用于12 吋晶圆上。
2022-07-15阅读量21683D
DRAM有望导入混合键合技术,迈入3D势在必行
部分预测认为,随着DRAM技术发展逐渐濒临瓶颈,未来DRAM制程可能引进混合键合(Hybrid Bonding)技术,以提高DRAM的集积度,量产64Gb以上的DRAM产品。
2023-10-18阅读量12693D
96层3D闪存产量将扩大:加速SSD价格下跌
自2018年以来,闪存价格一直在下跌,主要原因是64层和72层3D芯片的供应增加。观察人士表示,今年年底,内存价格甚至会跌至每GB不0.1美元(约0.67元)的纪录新低。
快科技· 2019-03-06阅读量2436
5G手机爆发在即,WD推出UFS3.0:采用96层3D NAND
西部数据(Western Digital)宣布基于先进的96层3D NAND推出嵌入式存储产品iNAND MCEU511,支持UFS 3.0 Gear 4/2 Lane规格,提供64GB-512GB容量选择,目前iNAND MC EU511正在给OEM客户送样。此外,西部数据先进的iNAND SmartSLC Generation 6,助力写入速度高达750MB/s,可在3.6秒内完成2小时的电影下载,连续读取速度几乎是其前代产品的两倍。
中国闪存市场· 2019-02-22阅读量2735

存储未来,赢得先机

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