三星4纳米芯片开始获得大客户订单

2023-05-04阅读量1652三星

三星400层NAND Flash量产倒计时

三星半导体研究所完成突破性400层堆叠NAND Flash开发。

2024-12-10阅读量1429三星

三星3nm工艺2021年量产已不太现实 2022年更为可行

据国外媒体报道，在5nm工艺即将大规模量产的情况下，3nm工艺就成了台积电和三星这两大芯片代工商关注的焦点，三星电子旗下的三星晶圆代工，此前设定的目标是在2021年大规模量产3nm工艺。

2020-04-08阅读量2625三星

三星3nm GAA工艺良率仍远低于客户要求

三星电子的3nm GAA工艺良率仍远远落后于其目标

2022-04-19阅读量2657三星

三星2024年升级NAND核心设备供应链

2023-08-31阅读量2096

三星2022年Q4财报出炉，芯片部门利润暴跌逾9成

三星电子今（31）日公布了2022年Q4业绩

2023-01-31阅读量2341三星

三星2021年量产3nm工艺 性能提升35%

三星 芯片 半导体 固态硬盘

智东西· 2019-05-15阅读量2908

三星18nm工艺内存芯片曝缺陷 明年全面挺进16nm

作为占据全球DRAM内存芯片过半市场的超级巨头，三星电子的一举一动都影响着整个行业。前几年内存价格持续暴涨，三星赚得盆满钵满，最近日子就不太好过了，一季度营业利润暴跌了超过60％。

快科技· 2019-04-10阅读量2868

三星170亿美元晶圆新厂选址敲定得州泰勒市

据韩联社消息，三星电子24日公布，将斥资170亿美元（约合人民币1087亿元）在美国得克萨斯州泰勒市新建公司在美国的第二座半导体晶圆代工厂，公司已与泰勒市政府完成相关协调沟通。

2021-11-24阅读量2840三星

三星12纳米级DDR5 DRAM已量产

2023-05-18阅读量2049三星