三星电子存储利润率约22%

对比三星电子和SK海力士的第三季度业绩，能够看出，两家公司在内存业务上的利润率有明显差距。

2024-11-04阅读量1769存储

三星电子存储业务第一季度有望扭亏为盈

2024-03-11阅读量1816存储

三星率先开发出12层3D硅穿孔堆叠：HBM存储芯片容量提至24GB

随着集成电路规模的扩大,如何在尽可能小的面积内塞入更多晶体管成为挑战,其中多芯片堆叠封装被认为是希望之星。三星称,他们得以将12片DRAM芯片通过60000个TSV孔连接,每一层的厚度仅有头发丝的1/20。

电子产品世界· 2019-10-08阅读量2995

三星汽车存储路线图公布

2023-11-24阅读量2006存储

三星持续选择性调整产能，继续拉抬存储报价

三星将继续选择性地调整生产特定的DRAM、NAND Flash产能，以期拉升报价。

2024-02-03阅读量2776存储

三星扩大利基型存储外购，台系存储厂接单

三星积极冲刺高带宽内存、DDR5等高端DRAM技术，并寻求台湾ODM厂协助导入之际，在DDR3、NOR Flash等相对成熟或利基型存储则扩大外购

2024-04-16阅读量2242存储

三星开始甩卖存储工厂设备

三星电子开始销售西安的NAND闪存工厂生产线的旧设备。

2024-11-06阅读量1503存储

三星存储芯片减产，美光等竞对股价应声大涨

4月10日，据彭博社报道，三星电子削减存储芯片产量的消息提振竞争对手的股价，因为此举可能会缓解影响整个产业产能供应过剩问题。

2023-04-11阅读量2356

三星商用存储将涨价15%~20%

三星电子将在第3季把服务器用的DRAM和企业级NAND闪存的价格提高15%~20%。此外，由于人工智能（AI）的需求激增，对存储芯片的竞争随之加剧，三星电子预计下半年业绩将有所改善。

2024-06-27阅读量2153

三星发布2020第四季财报，存储器出货量超预期

在未来的第一季度，三星的所有工艺技术的需求可能仍将保持强劲，并且预计短期内供应短缺将继续。该公司将通过扩大先进工艺的比例灵活地运营其生产线，并将专注于开发第一代和第二代3纳米工艺。

闪德资讯· 2021-01-28阅读量3528