SK海力士公司宣布，已开始批量生产最新的超高性能AI内存产品HBM3E， 3月底向客户Nvidia供货。

该公司七个月前公布了HBM3E开发的成功。

2023年全球HBM市场规模约为40亿美元，SK海力士市场份额高达20%，位居第一。

SK海力士是HBM3E的首家供应商，HBM3E是性能最佳的DRAM芯片产品，延续了其在HBM3方面的早期成功。

预计HBM3E的成功量产，以及作为业界首家HBM3供应商的经验，将有助于巩固其在AI内存领域的领导地位。

为了构建一个能够快速处理大量数据的成功AI系统，半导体封装应以多个AI处理器和存储器多连接的方式组成。

全球大型科技公司对AI半导体更强大的性能要求越来越高，SK海力士预计HBM3E将成为满足这种日益增长期望的最佳选择。

最新产品在速度、发热量控制等AI内存所需的各个方面均达到业界最佳水平，每秒处理数据量高达1.18TB，相当于在一秒钟内处理超过230部全高清电影（每部5GB）。

由于AI内存运行速度极快，控制热量是AI内存所需的另一项关键条件。

SK海力士HBM3E采用先进的MR-MUF工艺，散热性能也比上一代提升了10％。

MR-MUF技术对于确保HBM生态系统供应端的稳定量产至关重要，可以减少堆叠芯片的压力，同时采用该工艺还可以改善翘曲控制。

HBM业务负责人柳成洙表示，HBM3E的量产完善了公司业界领先的AI内存产品阵容。

凭借HBM业务的成功以及多年来与客户建立的牢固合作伙伴关系，SK海力士将巩固其作为全面AI内存提供商的地位。

凭借在HBM领域的领先地位，SK海力士股价在过去12个月翻了一番。

HBM（高带宽内存）

垂直连接多个DRAM芯片的高价值、高性能内存，与传统DRAM产品相比，数据处理速度大幅提升。

HBM3E是HBM3的扩展版本，是继HBM、HBM2、HBM2E和HBM3之后的第五代HBM

MR-MUF（大规模回流成型底部填充）

堆叠半导体芯片、在芯片之间注入液体保护材料以保护芯片之间的电路并使其硬化的工艺。

与为每个芯片堆叠铺设薄膜型材料的方法相比，该工艺已被证明更高效、更有效地散热。

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