SK海力士20日宣布，已在全球首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片，成功开发出最高容量24GB的HBM3 DRAM新产品，容量较上一代HBM3 DRAM提升50%，已向客户提供样品，正在接受客户公司的性能验证，将在上半年内完成量产准备，以“加强尖端DRAM市场主导权”。

SK海力士强调“公司继去年6月全球首次量产HBM3 DRAM后，又成功开发出容量提升50%的24GB套装产品。最近随着人工智能聊天机器人（AI Chatbot）产业的发展，高端存储器需求也随之增长，公司将从今年下半年起将其推向市场，以满足市场需求。”

公司技术团队在此次此新产品采用了先进（Advanced）MR-MUF*和TSV**技术。SK海力士表示，通过先进MR-MUF技术加强了工艺效率和产品性能的稳定性，又利用TSV技术将12个比现有芯片薄40%的单品DRAM芯片垂直堆叠，实现了与16GB产品相同的高度。

*MR-MUF：将半导体芯片堆叠后，为了保护芯片和芯片之间的电路，在其空间中注入液体形态的保护材料，并固化的封装工艺技术。与每堆叠一个芯片时，铺上薄膜型材料的方式对比工艺效率高，散热方面也更有效。

**TSV（Through Silicon Via， 硅通孔技术）在DRAM芯片打上数千个细微的孔，并通过垂直贯通的电极连接上下芯片的先进封装（Advanced Packaging）技术。采用该技术的SK海力士HBM3 DRAM可每秒传输163部全高清（Full-HD）电影，最大速度可达819GB/s（每秒819千兆字节）。

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