紫光宏微电子布局3D NAND封测 成功进入量产

转载: 中国IC交易网 2019-01-10
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紫光集团日前发文,宣布旗下紫光宏茂微电子(上海)有限公司宣布成功实现大容量企业级3D NAND Flash晶片封测的规模量产。

不过,据业界人士表示,紫光宏茂微电子的设备与技术都已经到位,产能也都准备好了,仍待紫光的订单放量,现阶段尚未达到经济规模的目标。

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紫光宏茂微电子(上海)有限公司原为南茂科技的全资子公司,2017年6月紫光集团通过旗下全资子公司西藏紫光国微出资收购其48%股权,成为其最大股东并实际主导经营。

2018年7月4日,宏茂微电子正式完成工商登记变更,公司名称由宏茂微电子(上海)有限公司变更为紫光宏茂微电子(上海)有限公司,经过一系列战略调整和转型,紫光宏茂重点发展记忆体的封装与测试,并将原有的驱动IC封测设备全部移回南茂台湾生产基地。

根据紫光集团存储晶片战略规划,紫光宏茂自2018年4月起开始建设全新3D NAND Flash封装测试产线,组建团队、研发先进封测技术;2018年5月完成无尘室建置;2018年6月开始投片实验;2018年9月完成产品初期验证;2018年11月产品通过客户内部验证;2019年1月顺利实现量产,为紫光存储企业级SSD3D NAND Flash晶片进行封测。

紫光宏茂将追求全系列记忆体封测的一站式服务提供者为目标,锁定产品包括3D NAND Flash(Raw NAND,eMMCUFSeMCP,TF card)、2D NAND Flash、NOR Flash、DRAM、SRAM等记忆体的封装和测试。

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紫光集团表示,紫光宏茂企业级3D NAND Flash晶片封测成功量产,象征着本土封测产业在3D NAND Flash先进封装测试技术实现从无到有的重大突破,也为紫光集团完整记忆体产业链布局落下关键一步棋。

目前,紫光集团在记忆体领域拥有长江存储、西安紫光国芯、紫光存储等系列子公司,涵盖NAND FlashDRAM等存储产品的研发、制造、封测及模组等产业链布局。

根据规划,长江存储将于2019年大规模量产64层堆叠的3D NAND Flash快闪记忆体,传闻2020年将跳过96层堆叠的3D快闪记忆体,直接量产128层堆叠的3D快闪记忆体。

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