供应商库存仍偏高 需求制约反弹

转载: 中国IC交易网 2019-07-15
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内存市场去年下半年起进入景气修正期,近来受日韩贸易战影响,加上大厂减产效应发酵,供给端获改善,DRAMNAND Flash 价格纷纷喊涨,不过,虽然短期内供给缩减预期心理,带动价格止跌反弹,但价格涨势要有支撑,仍得视大厂库存去化程度,及第 3 季电子业旺季市场需求力道。DRAM 由于库存水位较 NAND Flash 来得低,大厂美光先前已宣布减产 5%,加上近来日韩贸易战消息激励,现货报价开始上涨。

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DRAM 大厂南亚科总经理李培瑛也预期,DRAM 现货价有可能先上涨,惟仍有许多因素待观察,第 3 季整体合约价料将持续走跌,但跌幅将缩减,由于客户端库存已降低,供应商库存仍偏高,因此,价格跌幅缩减程度的关键,在于大厂的库存去化程度。

NAND Flash 方面,先前许多大厂也相继宣布减产,减产效益逐步发酵,加上 东芝内存发生停电事件,第 3 季出货量减少,美光也宣布减产幅度由 5% 上调至 10%,加上日韩贸易争端,市场对供给面可能缺货的忧虑提升,促使近期 NAND Flash 报价弹升,7 月以来,现货价涨幅已逾 1 成,且后市报价持续看涨。

内存大厂旺宏董事长吴敏求也认为,在日本政府对半导体关键材料出口韩国祭出限令下,短期内虽有库存可供给需求,长期来看一定会造成缺货,估在限令实行的 3 个月后,NAND Flash 市场将会“极度”混乱,在供不应求的情况下,台厂、及其他非韩厂的内存厂商,将会因此受惠。

虽然近期 DRAMNAND Flash 现货价均喊涨,但市场不确定因素仍多,上游大厂库存去化程度,及终端消费买气回笼力道,将成为长期价格能否维持扬升态势的关键。


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