内存市场去年下半年起进入景气修正期，近来受日韩贸易战影响，加上大厂减产效应发酵，供给端获改善，DRAM、NAND Flash 价格纷纷喊涨，不过，虽然短期内供给缩减预期心理，带动价格止跌反弹，但价格涨势要有支撑，仍得视大厂库存去化程度，及第 3 季电子业旺季市场需求力道。DRAM 由于库存水位较 NAND Flash 来得低，大厂美光先前已宣布减产 5%，加上近来日韩贸易战消息激励，现货报价开始上涨。

DRAM 大厂南亚科总经理李培瑛也预期，DRAM 现货价有可能先上涨，惟仍有许多因素待观察，第 3 季整体合约价料将持续走跌，但跌幅将缩减，由于客户端库存已降低，供应商库存仍偏高，因此，价格跌幅缩减程度的关键，在于大厂的库存去化程度。

NAND Flash 方面，先前许多大厂也相继宣布减产，减产效益逐步发酵，加上 东芝内存发生停电事件，第 3 季出货量减少，美光也宣布减产幅度由 5% 上调至 10%，加上日韩贸易争端，市场对供给面可能缺货的忧虑提升，促使近期 NAND Flash 报价弹升，7 月以来，现货价涨幅已逾 1 成，且后市报价持续看涨。

内存大厂旺宏董事长吴敏求也认为，在日本政府对半导体关键材料出口韩国祭出限令下，短期内虽有库存可供给需求，长期来看一定会造成缺货，估在限令实行的 3 个月后，NAND Flash 市场将会“极度”混乱，在供不应求的情况下，台厂、及其他非韩厂的内存厂商，将会因此受惠。

虽然近期 DRAM 与 NAND Flash 现货价均喊涨，但市场不确定因素仍多，上游大厂库存去化程度，及终端消费买气回笼力道，将成为长期价格能否维持扬升态势的关键。