新标准型EUV导入部分High-NA EUV技术，光刻效率提高逾20% ssd新闻存储新闻

新标准型EUV导入部分High-NA EUV技术，光刻效率提高逾20%

2024-03-28

阅读量 944

据荷兰媒体Bits & Chips报道，光刻机大厂ASML确认，新标准型0.33 NA EUV光刻机NXE:3800E导入部分High-NA EUV技术，工作效率提升。

ASML表示，新标准型EUV光刻机NXE:3800E已出货，执行效率可达每小时195片晶圆，较旧机型160片提高近22%。

下代High-NA高数值孔径EUV采用更宽光锥，在EUV反射镜撞击角度更宽，晶圆曝光时导致光损失，故ASML提高光学系统放大倍率，将光线入射角调回合适大小。

不过光罩尺寸不变，增加光学系统放大倍率，会因曝光场减少影响晶圆量。ASML 仅一个方向将放大倍数从四倍提升至八倍，使曝光场仅缩小一半。

为了降低曝光时间，提升工作效率，有必要提升曝光机载台运动速率。ASML工程师开发同时相容0.33NA数值孔径系统的新款快速载台运动系统，对NXE:3800E而言，光学元件相同之前的3600D机型，仅是配备了更高效的EUV光源，工作量提升来自每次曝光间晶圆移动加速。与NXE:3600D相比，NXE:3800E载台移动速度提升两倍，曝光步骤总时间也约减少一半。

运行速度更快，也使能效提升，ASML发言人表示，NXE:3800E整体节省约20%~25%能源。

点击此处关注，获取最新资讯！