据Semiconductor Engineering报道,三星电子于产业会议Memcon 2024表示,2025年后进入3D DRAM时代。DRAM产业将于2030年前将制程压缩至10纳米以下,现有设计方案更难扩展。厂商正在开发3D DRAM多种创新型设计,以提高内存性能。三星展示两项3D DRAM技术,包括垂直通道电晶体(Vertical Channel Transistor)和堆叠DRAM(Stacked DRAM)。相较传统电晶体结构,垂直通道电晶体将通道从水准变为垂直,大幅减少元件面积,但提升刻蚀精确度要求。相较2D DRAM结构,堆叠DRAM可充分利用Z轴向空间,较小面积容纳更多存储单元,单晶片容纳提升至100G以上。3D DRAM市场发展,有望2028年达千亿美元规模。为了与其他存储制造商竞争,三星年初在美国硅谷设立新3D DRAM研发实验室,以开发先进内存。
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