韩媒：HBM良率太低，产量堪忧 ssd新闻存储新闻

2024-03-06

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韩媒传出，高带宽内存（HBM）的良率远低于传统内存产品，通过英伟达品质测试的难度大增，让市场对产量感到忧虑。

Wccftech引述韩国媒体DealSite报道，美光、SK 海力士等HBM厂商面临良率低迷窘境，为了通过英伟达次世代AI GPU的品质测试，彼此正在激烈竞争。

HBM良率高低，主要跟堆叠架构的复杂程度有关，这牵涉到多重内存阶层，及作为各层连结之用的直通硅通孔（Through-Silicon Via，简称TSV）技术。这些复杂技术增加制程出现缺陷的机率，可能因此让良率低于设计较简单的内存。

此外，由于HBM一旦有一个芯片有缺陷，整个封装都需丢弃，因此产量很低。消息显示，HBM的整体良率目前约在65%左右，若业者试图拉高良率，产量就会随之下降。

美光已于2月26日宣布，开始量产HBM3E，将应用于英伟达最新AI芯片「H200」Tensor Core绘图处理器（GPU）。H200预定2024年第二季出货，取代当前算力最强大的H100。

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