日本Rapidus、东大携手法国机构Leti，研发1纳米芯片技术 ssd新闻存储新闻

日本Rapidus、东大携手法国机构Leti，研发1纳米芯片技术

2023-11-17

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据日经新闻16日报道，日本芯片制造商Rapidus、东京大学将和Leti携手研发1nm等级芯片设计的基础技术，将在2024年正式展开人才交流、技术共享，目标活用Leti的半导体元件技术，建构提升自动驾驶、人工智能（AI）性能所不可或缺的1nm芯片产品供应体制。

据报道，Rapidus、东大等日本国立大学以及理化学研究所参与的研究机构「最先进半导体技术中心（LSTC）」和Leti已在10月签订考虑合作的备忘录。LSTC和Leti的目标是确立1.4nm-1nm芯片研发所必要的基础技术。

报道指出，在2nm芯片的量产上，Rapidus正和美国IBM、比利时半导体研发机构imec合作，且也考虑在1nm等级产品上和IBM进行合作。预计在2030年代以后普及的1nm产品运算性能将较2nm提高1-2成。

美国麦肯锡指出，全球半导体市场规模预估将在2030年之前达到1万亿美元、将较2021年的约6000亿美元大增约7成。中国台湾台积电、韩国三星电子将在2025年量产2nm，而Rapidus位于北海道千岁市的2nm芯片研发/生产据点千岁工厂「IIM-1（第1栋厂房）」已于9月动工，试产产线计划在2025年4月启用、2027年开始进行量产。

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