各原厂规划明年Q1完成HBM3e验证，2026年推出HBM4 ssd新闻存储新闻

各原厂规划明年Q1完成HBM3e验证，2026年推出HBM4

2023-11-28

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市调机构最新HBM市场研究显示，为了更妥善健全的供应链管理，英伟达也规划加入更多HBM供应商，三星HBM3（24GB）预定12月完成验证，HBM3e进度依时间轴排列如下表，美光7月底提供8hi（24GB）英伟达样品、SK海力士8月中提供8hi（24GB）样品、三星10月初提供8hi（24GB）样品。

HBM验证过程繁琐，预计耗时两季，机构预期最快年底取得部分厂商HBM3e验证结果，三大原厂均预定2024年第一季完成验证。各原厂HBM3e验证结果将决定最终英伟达2024年HBM供应商采购权重分配，然验证皆未完成，故2024年HBM整体采购量有待观察。

展望2024年，各AI芯片供应商开案进度，英伟达今年高端AI芯片（采HBM）既有产品为A100/A800及H100/H800；2024年组合（Product Portfolio）更细致化分类。除了原上述型号，更推出六颗HBM3e的H200及八颗HBM3e的B100，并同步整合英伟达自家基于Arm架构的CPU与GPU，推出GH200及GB200。

除了HBM3与HBM3e，机构了解，HBM4规划2026年推出，含英伟达及其他CSP（云端业者）产品应用，规格和效能最佳化。受规格往高速发展带动，将首次看到HBM最底层Logic die（又名Base die）采12nm制程，由晶圆代工厂提供，使单颗HBM产品需结合晶圆代工厂与存储厂合作。

随着客户运算效能要求提升，HBM4堆叠层数除了现有12hi（12层），也再往16hi（16层）发展，更高层数也带动新堆叠方式hybrid bonding需求。HBM4 12hi产品2026年推出；16hi产品2027年问世。

最后机构观察，HBM4各买方开始启动客制化要求，除了HBM可能不再仅排列在SoC主芯片旁边，亦有部分讨论转向堆叠在SoC主芯片上。虽然所有选项仍在讨论可行性，尚未定案，但机构认为将来HBM产业转至更客制化角度，比其他DRAM产品定价及设计，更能摆脱Commodity DRAM框架，呈特定化的生产。

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