半导体生产技术已到极限，技术再突破要看新材料 ssd新闻存储新闻

2023-12-28

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据《日经新闻》报道，随着台积电、三星电子、英特尔明年竞相冲刺开发2纳米制程，半导体供应链业者表示，现有生产技术已达到极限，若要再有突破，势得由新材料和更先进的化学品扮演更重要的角色。

报道引述英特格技术长欧尼尔指出，「材料创新才是推动效能提升的主力」，推动先进制程的已不再是芯片制造设备，而是先进材料和特殊化学品。

默克电子科技事业体执行长贝克曼（Kai Beckmann）也对日经新闻表达相同看法。他说：「我们正从过去20年设备当道的时期，转向下个十年也就是我们客户所称的材料时代」。「设备仍然重要，但如今材料才是决胜关键」。

就微处理器而言，台积电、三星、英特尔竞逐在2025年以前量产2纳米芯片，从各家发展进度来看，更精密的制程不久可能问世。

无论是逻辑芯片或存储芯片，若要在这两个领域有进一步进展，不仅需要先进的设备，还需要一整套全新的先进材料。举例，逻辑芯片跨入2纳米制程，需要一个全新的芯片架构。在这套称为环绕式栅极（GAA）的架构，电晶体采用更复杂且3D的堆叠方式。

欧尼尔说，开发用于GAA的材料需要创新的材料「能均匀覆盖顶部、底部和侧面」，他说，业界正设法在「原子的尺寸」下实现这一目标。

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