旺宏年底将量产192层NAND Flash,减少明年资本支出

2023-10-28
阅读量 1303

据MoneyDJ报道,旺宏在新产品研发进度上,192层的NAND Flash即將推出,预计年底到明年初会量产,3D NOR Flash会在明年年底前有sample送到客户手上,而在资本支出上,今年已有一些投入,考量到行情仍未明显复苏,明年资本支出将较今年减少。

图片
旺宏表示,年底到明年初会量产的192层的 NAND Flash,针对特定主要客户,营收贡献约是明年下半年,新研发的技术则是超过300层的产品;3D NOR Flash 预计明年底释出sample后,营收贡献通常要再等1-2年。
2024年的资本支出部分,旺宏表示,除了RD的需求外,其它产能扩充都暂时延后,而且今年已有规划产能扩充上的投资,所以明年资本支出会比2023年减少。
至于旺宏拟兴建的新厂进度部分,目前clean room已完成,部分设备已导入。

点击此处关注获取最新资讯!

f328f6db93164f84bb23c090c28e7db.png88c1a0acd98aa6023fcbfa1f2ebf421.png

1.本文整理自网络,如有侵权,请联系删除。

2.所刊内容仅代表作者观点,非闪德资讯立场。

我的评论

登录后评论

最新评论

渠道报价
查看更多

D4/32G-DDR 4

  • 一年
  • 半年
  • 三个月
  • 一个月

微信订阅

APP下载

存储未来,赢得先机

18126200184

Copyright©2008-2024 闪德资讯 版权所有 粤ICP备18080549号-1

粤公网安备 44030402002744号