英特尔144层QLC和TLC NAND发布

原创: 闪德资讯 2020-12-17
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据英特尔消息,英特尔宣布对其大多数SSD产品系列进行更新,英特尔的144层QLCTLC NAND发布。在业务的Optane方面,英特尔为使用第二代3D XPoint内存的第一款产品制定了详细的规范,并为客户端PC提供了更新的Optane Memory缓存解决方案。英特尔还透露了第三代Optane永久性内存模块的代号,该模块将与Sapphire Rapids Xeon处理器一同发布。


新品包括:

1、SSD D7-P5510-数据中心NVMe,144L TLC

2、SSD D5-P5316-数据中心NVMe,144L QLC

3、SSD 670p-客户端/消费者NVMe,144L QLC

4、Optane SSD P5800X-数据中心NVMe,第二代3D XPoint

5、Optane内存H20-客户端NVMe,144L QLC + 3D XPoint

6、Optane永久性内存300系列:Crow Pass -3D XPoint DIMM


英特尔方面表示,其中一些产品已经开始发货,并于本月正式发布,而其他产品仅在今天宣布,并将于2021年发布,其全部规格和价格在发布前就已公布。


用于数据中心SSD


新的D7-P5510使用144L 3D TLC NAND,并且是使用96L TLC的D7-P5500的后继产品。由于P5500是仅限OEM的产品,而不是通过渠道广泛分发,因此P5510还将作为部分客户群的P4510的后继产品。


据悉,使用Intel 144L QLC NAND的新型D5-P5316 SSD具有15.36 TB和30.72 TB容量,采用U.2或E1.L尺寸。E1.L版本允许Intel通过在1U服务器中启用1PB的存储来实现“统治者”外形的最初目标。由于P5316取代了较旧的P4326(64L QLC和PCIe gen3),与基于TLC的P5510相比,它是其前身的实质性升级。除了在QLC产品线中引入英特尔第三代企业NVMe SSD控制器外,P5316带来的最重要变化是闪存转换层的工作方式发生了重大变化。


P5316通过更改SSD闪存转换层,以64kB(而不是4kB)的粒度工作,从而使DRAM减少了16倍。我们已经看到其他一些企业级SSD进行了这种更改,例如Western Digital的Ultrastar DC SN340,它使用32kB FTL粒度。较粗粒度的FTL节省的DRAM有助于使大容量SSD更加经济实惠,但以严重损害性能和增加小块大小随机写入的写入放大为代价。基于TLC的P5510已被提供给客户以进行资格鉴定,并将于今年年底交付销售。基于QLC的P5316正在提供样品,并将于2021年上半年上市。



图片

(英特尔供图)


面向消费者的144L QLC


转向消费类SSD业务,英特尔将在2021年第一季度推出670p QLC NVMe SSD。紧随660p和665p的发展脚步,对新的3D QLC NAND进行了另一次更新,还带来了SSD控制器更新到这个产品线。但是,它仍然只是PCIe gen3产品。英特尔将重新引入665p缺少的512GB容量,但他们尚未增加2TB以上的容量。详细的性能规格和价格将在670p即将发布时分享。


据介绍,英特尔宣布的三款新NAND固态硬盘代表了将TLCQLC确立为大容量驱动器主流技术的新里程碑。英特尔3D NAND SSD 670p是用于主流计算的英特尔下一代144层QLC 3D NAND SSD英特尔SSD D7-P5510是世界上第一个上市的144层TLC NAND设计,而英特尔SSD D5-P5316则是围绕业界第一个144层QLC NAND构建的。过去十年来,英特尔一直在开发这些技术。


英特尔正在通过新的670p来调整动态大小的SLC缓存行为。尽管最大和最小SLC缓存大小没有变化,但英特尔已设法提高了部分填充驱动器可用的缓存大小,一半的670p仍将具有几乎最大的可用SLC缓存大小和最小的最小SLC缓存大小。直到驱动器已满85%,才可以达到高速缓存大小。


据英特尔介绍道,第二代Optane企业级SSD最终以P5800X的形式发售。这是第一款使用第二代3D XPoint内存的产品,并且还具有更新的控制器以支持PCIe 4.0P5800X限制了PCIe 4.0 x4接口具有的性能极限,顺序读取,随机读取和随机写入均以或多或少的线速度支持,而顺序写入速度仅为6.2 GB / s。尽管随机读取或随机写入的1.5M IOPS已经非常令人印象深刻,但P5800X甚至可以在70/30的混合比下达到1.8M IOPS-这仅是可能的,因为PCIe是全双工接口。英特尔还对单扇区512字节随机读取进行了优化,可达到460万次IOPS。据悉,第一代Optane DC P4800X的写入耐力等级为30 DWPD,后来提高到60 DWPD。新的P5800X进一步将写入寿命提高到100 DWPD,容量范围从400GB到3.2TB。


英特尔Optane产品系列中以客户/消费者为中心的部分已经大幅缩水。他们不再使用Optane M.2 SSD作为主存储或缓存驱动器,也没有提及以发烧友为导向的P5800X替代Optane SSD 900P和905P。英特尔最近一直在谈论的唯一Optane产品是Optane Memory H10在同一M.2卡上由QLC NVMe SSD和Optane SSD组成的混合驱动器。现在是继任者Optane Memory H20计划于2021年第二季度发布,在QLC侧合并可能反映670p更新的更新,并在驱动器的Optane一半上安装新的控制器。


英特尔表示,H20仍将是第三代PCIe解决方案,因此公司看到NAND方面的性能受到仅访问四个PCIe通道中两个通道的限制。英特尔还提高了平台要求,包括第11代Core U系列移动处理器和500系列芯片组,以及Intel RST驱动程序版本18.1或更高版本。H10推出时,英特尔为台式机平台的支持奠定了基础,但是当H10成为OEM专用产品时,这项工作就被放弃了。


Optane内存H20将配备512GB或1TB的QLC NAND闪存,每对都配备32GB的3D XPoint内存。英特尔的Optane永久内存产品(DIMM尺寸中的3D XPoint)目前在第二代200系列Barlow Pass上得到Cooper Lake和即将推出的Ice Lake Xeon平台的支持。200系列Optane永久内存模块仍使用第一代3D XPoint内存


英特尔表示,该路线图中的下一代代号为Crow Pass,很可能会被冠以300系列的商标。Crow Pass模块将与英特尔的Sapphire Rapids Xeon处理器一起使用。预期这些将使用DDR5内存,因此Crow Pass将成为Optane永久内存接口的主要更新。Crow Pass还应将第二代3D XPoint内存带入DIMM尺寸。

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