据韩媒报道，目前三星已经确认将其第五代HBM3E产品命名为“Shinebolt”。

三星已经开始向客户提供这一“Shinebolt”样品来进行质量测试，该样品的规格为8层24GB。此外三星还将很快完成12层36GB产品的开发。

Shinebolt的最大数据传输速度（带宽）约比HBM3高 50%，达1.228TB / S，尽管三星的HBM开发和生产速度在某种程度上落后于SK海力士，但三星仍然计划重新夺回先进内存生产的领先地位。

HBM 的关键在于每层之间的连接方式，三星从HBM 生产之初就一直采用热压缩非导电薄膜（TC-NCF）工艺，而SK海力士则采用的是质量回流成型底部填充（MR-MUF）工艺。当然这二者孰优孰劣依然要交给市场来评判。

由于已经在HBM的开发和生产速度上落后于SK海力士，三星也开始重新制定战略来夺回市场定位。目前三星正考虑加速开发HBM的“混合连接”工艺，从而“改变游戏规则”。

三星内存业务总裁Lee Jung-bae此前表示：“我们目前正在生产 HBM3，并顺利开发下一代产品 HBM3E，我们将进一步扩大生产 HBM 以满足客户的需求。”

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