在经历2016年中到2018年底的疯狂之后，DRAM内存和NAND闪存的都在2018年出现下跌。在DRAM内存在2019年第一季度将下跌20%，集邦存储预计DRAM内存在第二季度还有15%的跌幅;NAND闪存在2018年的跌幅更是高达50%，在没有足够支撑的情况下，NAND闪存在2019年还有50%的下跌。

但价格下跌还不是DRAM内存和NAND闪存最坏的消息。行业资讯网站EETimes不久前发布一份报告显示，英特尔自主研发的商用MRAM(磁阻随机存取存储器)已经做好大批量生产的准备。提交这篇论文的英特尔工程师Ligiong Wei表示：“英特尔嵌入式MRAM技术可在200摄氏度下实现长达10年的记忆期，并可在超过100万个开关周期内实现持久性。由于具有省电的特性，英特尔的嵌入式MRAM很有可能率先用在移动设备上，例如物联网 (IoT) 之类的设备商应用，通海还能搭上5G世代的列车。”

MRAM是一种非易失性存储技术，通过磁致电阻的变化来表示二进制中的0和1，从而实现数据的存储。由于产品本身具备非易失性，让其在断电情况下依然可以保留数据信息，并拥有不逊色于DRAM内存的容量密度和使用寿命，平均能耗也远低于DRAM。

由于物理极限，半导体的制程微缩已经渐至瓶颈，经过多年发展的DRAM内存和NAND闪存已经难有潜力再挖。作为新兴技术的MRAM则拥有很多发展空间。除了英特尔，台积电在去年也传出有一重启MRAM产品的研发计划。