IBM与东京电子合作，开发新3D芯片堆叠技术用于12吋晶圆 ssd新闻存储新闻

IBM与东京电子合作，开发新3D芯片堆叠技术用于12吋晶圆

2022-07-15

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据台媒《科技新报》报道，IBM和日本半导体设备商东京电子日前宣布，在3D芯片堆叠方面获得了新的技术突破，成功运用了一种新技术将3D芯片堆叠技术用于12 吋晶圆上。由于芯片堆叠目前仅用于高阶半导体产品，例如高频宽存储(HBM) 的生产。不过，在IBM与东京电子提出新的技术之后，有机会扩大3D芯片堆叠技术的应用。

报道指出，3D芯片堆叠技术在当前被视为延续摩尔定律(Moore′s Law) 的利器之一，这使得多家半导体企业公司都在进行努力，期望将「每单位面积」的电晶体数量，转变为「每单位体积的电晶体数量」。而与一般平面结构的晶片相较，3D芯片堆叠允许多层堆叠，而硅穿孔封装(TSV) 就是3D芯片堆叠技术当中的关键。

IBM与东京电子新开发的技术，本质上是一种将硅芯片连接在一起的新方法。传统的芯片堆叠需要堆层间的硅穿孔，这可以使得电力向上流入堆叠层，并使两层串联执行工作。但是，这需要削减堆叠层的背面，以露出TSV空间以提供另一层堆叠层透过TSV来连结。只是，堆叠层中的厚度非常薄，通常仅小于100微米。而因为它们的脆弱性，让他们当中需要一个载体芯片来支撑。

所以，通常这些载体芯片由玻璃制成。借载体晶圆与晶圆的键合，以确保它可以在生产过程中不受损坏。完成生产后，使用紫外镭射去除载体。在某些情况下，也可以使用载体芯片，但将其进行层与层分离需要物理的机械力来帮助，这对于晶圆的完整性可能是造成风险。因此，在这IBM与东京电子新开发的技术上，将使用红外线镭射来进行层与层分离，进一步剥离两个对硅穿孔的晶片，将能有效的降低破坏晶片完整性的风险。

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