在闪存的世界里，QLC是目前很多大厂看好的闪存技术，因为可以获得更大的市场优势。不同闪存结构具有各自的特点，SLC是单层电子结构，每个cell可以存放1bit数据，特点是写入数据的时候电压变化区间小，寿命较长，理论擦写次数在十万次以上；MLC使用高低电压的而不同构建的双层电子结构，寿命较长，理论擦写次数在五千次左右，成本相对较高；TLC是三层式存储单元，是MLC闪存延伸，由于存储密度较高，所以容量理论上是MLC的1.5倍，成本较低，但是寿命相对要低一些；QLC是四层式存储单元，QLC闪存颗粒拥有比TLC更高的存储密度，同时成本上相比TLC更低，优势就是可以将容量做的更大，成本上更低，劣势就是寿命更短。QLC以较低的成本/GB提供更高密度的存储，相对于TLC，它确实牺牲了一些速度。

在3D闪存方面，英特尔在96层后已经与镁光和平分手，两家独自研发100+堆栈的闪存，目前业界的标准是128层，而英特尔研发的闪存堆栈到了144层，当然是QLC类型的，位容量比业界标准提升百分之五十，目前144层QLC闪存已经完成研发，预计今年底量产。

不只是英特尔，镁光一直是QLC技术的追逐者。在过去几年里，镁光一直在改进QLC颗粒制程，将原有QLC的堆栈层数从96层提升到128层，这样也让QLC颗粒的寿命提升了不少。目前镁光采用全新QLC颗粒的镁光 2210系列SSD在写入数据寿命上已经超越了原来使用TLC颗粒的镁光2200系列 SSD。

三星在今年七月推出其新的存储设备系列– 便携式SSD T7，一种快速，紧凑的外部存储设备，以及世界上最大的客户端固态硬盘870 QVO SSD ，拥有高达8TB的容量。这款产品为高容量消费类存储树立了新标准，是第二代QLC闪存驱动器，新型固态硬盘将速度、存储容量和可靠性完美融合。“我们致力于提供一流的产品，最新的SSD具有业界领先的速度，容量和可靠性。便携式SSD T7将通过NVMe技术和紧凑的金属机身设计支持其快速传输速度，870 QVO SSD为高容量消费类存储树立了新标准，是第二代QLC闪存驱动器,新型固态硬盘具有高达8TB的行业领先容量，可提供速度，存储容量和可靠性的完美融合。” 三星印度企业销售高级总监Akash Saxenaa说道。

韩国三星的竞争对手SK海力士将会加速推进128层3D闪存在8月左右投入大规模量产。据悉，SK海力士目前的闪存主力是96层堆叠，128层技术遭在去年年中就已经宣布，支持QLC闪存类型，SK海力士在2019年底开始小批量出货128层闪存，目前，SK海力士也在研制176层闪存，但是尚无量产计划。

作为闪存的发明者，铠侠也已经推出了QLC产品。据悉，铠侠的闪存除了SLC到QLC演变，目前还在逐步向上发展，目前很多数据中心，不仅数据量非常大，而且对存储性能也有要求，大容量SSD就成为了很好的选择。铠侠新的96层闪存颗粒的产品也有推出。不同于三星和英特尔，铠侠对于128层甚至更高的堆叠层数产品谨慎，求稳、追求良率都是铠侠考虑的。

虽然中国大陆的颗粒厂技术落后顶级厂商一点，但是长江存储在今年四月推出的128层QLC 3D闪存已经非常出色了，据介绍，这是业内首款128层QLC规格3D NAND，且拥有已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。QLC是继TLC后3D NAND新的技术形态，具有大容量、高密度等特点，适合于读取密集型应用。长江存储市场与销售高级副总裁龚翊表示，长江存储128层系列产品将率先应用于消费级SSD，并逐步进入企业级服务器、数据中心等领域，以满足未来5G、AI时代多元化数据存储需求。

QLC颗粒到底有什么魔力？闪存专业人士Gregory Wong认为，QLC降低了NAND闪存单位字节的成本，更适合作为大容量存储介质。 随着主流消费类SSD容量迈入512GB及以上，QLC SSD未来市场增量将非常可观。与传统HDD相比，QLC SSD更具性能优势，在企业级领域， 采用QLC 制造的SSD将为服务器和数据中心带来更低。

随着用户对大存储容量的需求，相对于TLC和MLC颗粒，QLC能够让存储获得更低成本和更大容量，廉价的大容量存储时代即将来临。

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