由于存储市场的反弹，美光科技的股价在过去12个月上涨了约100%。

瑞穗证券认为，美光科技正在加大HBM3E的研发力度，功耗比竞争对手低30%，在外界普遍忧虑人工智能功耗的日益增长，这可能会推动美光的市场份额扩大。

关键供应商的1-alpha HBM3E上潜在的产量问题堆叠高度键合延迟，使得美光和SK海力士在 B100、B200、GB200平台的HBM3E上获得份额，到2025年，美光的市场份额将从目前的约5%增至约25%。

分析师重申堆美光的买入评级，目标价从130上调到150美元。

美光2月份开始量产HBM3E，由于行业供应很紧张，供应量可能降到最低，从而推高价格。

随着处理器的堆栈高度标准放宽，HBM4可能采取TSMC的晶圆基板(CoWoS-L) 。

美光正在使用一种被称为热压非导电薄膜的技术，该公司认为，与SK海力士的产品相比，该技术有助于提高封装密度、厚度一致性和更快的规格、更小的凸块和更好的堆叠高度间距。 

HBM4产品可能要等到2027或者2028年，预计HBM市场的复合增长率约在65%，2026年市场份额达到170-180亿美元。

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