近日,应用材料公司推出了一款新的电子束测量设备,专门用于精确测量采用EUV和新兴的High-NA EUV光刻技术的半导体器件的关键尺寸,可有效降低光刻工艺的成本。该设备被称为VeritySEM 10关键尺寸扫描电子显微镜(CD-SEM)测量系统。据应用材料公司称,与传统CD-SEM相比,该设备能够以较低能量实现2倍分辨率,并提升30%的扫描速度。该设备领先的分辨率和扫描速率改进了对 EUV 和High-NA EUV 光刻和蚀刻工艺的控制,以帮助芯片制造商加速工艺开发并最大限度地提高大批量制造的产量。「VeritySEM 10是 CD-SEM 技术的一项突破,它解决了未来几年将塑造行业的重大技术变化带来的计量挑战,」应用材料公司成像和过程控制集团副总裁 Keith Wells 说,「该系统独特地结合了低着陆能量、高分辨率和更快的成像速度,有助于为High-NA EUV、Gate-All-Around 晶体管和高密度3D NAND铺平道路。」
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